[发明专利]一种电磁屏蔽结构的制造方法在审
申请号: | 201911417008.7 | 申请日: | 2019-12-31 |
公开(公告)号: | CN111048426A | 公开(公告)日: | 2020-04-21 |
发明(设计)人: | 桂珞 | 申请(专利权)人: | 中芯集成电路(宁波)有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552 |
代理公司: | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人: | 张立君 |
地址: | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电磁 屏蔽 结构 制造 方法 | ||
本发明公开了一种电磁屏蔽结构的制造方法,包括:提供衬底;将初始芯片设置于所述衬底;通过真空贴合在所述初始芯片上形成一层或多层电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述初始芯片的顶部和侧壁;对所述电磁屏蔽层和衬底进行切割,形成芯片。采用本发明的电磁屏蔽结构的制造方法,与现有技术相比,真空贴合的方式受到材料的限制较低,使得更多屏蔽效果更好的材料能够应用于芯片的电磁屏蔽;能够保证所述电磁屏蔽层和初始芯片紧密结合,为形成多层电磁屏蔽层提供可能;同时,其电磁屏蔽层可以事先根据应用场景而针对性制备,无需通过沉积或烧结,降低了工艺难度,缩短了芯片制造的时间。
技术领域
本发明涉及芯片制造领域,尤其涉及一种电磁屏蔽结构的制造方法。
背景技术
电子元件对外界的干扰,称为EMI(Electromagnetic Interference),电磁波会与电子元件作用,产生被干扰现象,称为EMS(Electromagnetic Susceptibility)。
当干扰电磁场的频率较高时,利用低电阻率的金属材料中产生的涡流,形成对外来电磁波的抵消作用,从而达到屏蔽的效果;当干扰电磁波的频率较低时,要采用高导磁率的材料,从而使磁力线限制在屏蔽体内部,防止扩散到屏蔽的空间去;在某些场合下,如果要求对高频和低频电磁场都具有良好的屏蔽效果时,往往采用不同的金属材料组成多层屏蔽体。
现有技术通过PVD(Physical Vapor Deposition,物理气相沉积)的方式在裸片上生长电磁屏蔽材料,或在裸片上喷涂导电银胶,通过烧结形成电磁屏蔽外壳,对材料和工艺的要求较高,电磁兼容性较差,在需要同时应对高频和低频电磁场时,这一问题更加显著。
因此,期待一种电磁屏蔽结构的制造方法,能够放宽电磁屏蔽材料材料限制,在降低成本的同时,达到更好的电磁屏蔽效果。
发明内容
本发明的目的在于提供一种电磁屏蔽结构的制造方法,利用真空贴合的方式,将实现制备的电磁屏蔽材料覆盖至裸片,以达到更好的电磁屏蔽效果。
为了实现上述目的,本发明提供一种电磁屏蔽结构的制造方法,包括:
提供衬底;
将初始芯片设置于所述衬底;
通过真空贴合在所述初始芯片上形成一层或多层电磁屏蔽层,所述电磁屏蔽层覆盖所述初始芯片的顶部和侧壁;
对所述电磁屏蔽层和衬底进行切割,形成芯片。
可选的,当形成多层电磁屏蔽层时,所述多层电磁屏蔽层中,至少两层电磁屏蔽层的材料不同。
可选的,所述电磁屏蔽层包括:底层和位于底层表面的金属胶层,所述金属胶层的材料为金属颗粒分散在粘合剂中形成的胶,所述金属颗粒的材料包括银和/或镍,所述粘合剂包括环氧树脂。
可选的,所述底层的材料为干膜。
可选的,所述电磁屏蔽层的材料为内侧喷涂有粘合层的金属箔,所述金属箔的材料包括金、银、铜或镍。
可选的,所述粘合层的材料包括固化胶,所述固化胶包括紫外固化膜。
可选的,形成所述芯片后,还包括:去除所述衬底。
可选的,将至少一片初始芯片设置于所述衬底的方法包括:
在所述衬底上形成临时键合膜;
在所述临时键合膜表面设置所述初始芯片。
可选的,所述临时键合膜的材料包括:紫外键合膜或热解膜。
可选的,形成所述电磁屏蔽层后,进行解键合,去除所述衬底。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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