[发明专利]一种电磁屏蔽结构的制造方法在审
| 申请号： | 201911417008.7 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111048426A | 公开（公告）日： | 2020-04-21 |
| 发明（设计）人： | 桂珞 | 申请（专利权）人： | 中芯集成电路（宁波）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L23/552 |
| 代理公司： | 北京思创大成知识产权代理有限公司 11614 | 代理人： | 张立君 |
| 地址： | 315800 浙江省宁波市北*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电磁 屏蔽 结构 制造 方法 | ||
1.一种电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，包括：
提供衬底；
将初始芯片设置于所述衬底；
通过真空贴合在所述初始芯片上形成一层或多层电磁屏蔽层，所述电磁屏蔽层覆盖所述初始芯片的顶部和侧壁；
对所述电磁屏蔽层和衬底进行切割，形成芯片。
2.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，当形成多层电磁屏蔽层时，所述多层电磁屏蔽层中，至少两层电磁屏蔽层的材料不同。
3.根据权利要求1或2所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层包括：底层和位于底层表面的金属胶层，所述金属胶层的材料为金属颗粒分散在粘合剂中形成的胶，所述金属颗粒的材料包括银和/或镍，所述粘合剂包括环氧树脂。
4.根据权利要求3所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述底层的材料为干膜。
5.根据权利要求1或2所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述电磁屏蔽层的材料为内侧喷涂有粘合层的金属箔，所述金属箔的材料包括金、银、铜或镍。
6.根据权利要求5所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述粘合层的材料包括固化胶，所述固化胶包括紫外固化膜。
7.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，形成所述芯片后，还包括：去除所述衬底。
8.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，将至少一片初始芯片设置于所述衬底的方法包括：
在所述衬底上形成临时键合膜；
在所述临时键合膜表面设置所述初始芯片。
9.根据权利要求8所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述临时键合膜的材料包括：紫外键合膜或热解膜。
10.根据权利要求8所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，形成所述电磁屏蔽层后，进行解键合，去除所述衬底。
11.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，通过激光切割或刀片切割的方法，除去多余的电磁屏蔽层部分，形成单颗的芯片。
12.根据权利要求1所述的电磁屏蔽结构的制造方法，其特征在于，所述衬底的材料包括：玻璃、单晶硅或多晶硅。
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