[发明专利]芯片转移到晶圆的方法

说明书

一种芯片转移到晶圆的方法，包括：提供衬底，衬底包括一个或多个第一区域；在衬底上形成多个呈阵列排布的多个源芯片，每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片，第一阵列为A行×B列；提供目标器件晶圆，目标器件晶圆具有多个第一目标区域，第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同；通过第一转移操作将一个或多个第一区域上的全部源芯片，转移到目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域。本发明能够实现大量的芯片同步转移和键合贴装，大大提高了生产效率，并降低成本。

技术领域

本发明涉及半导体器件制造领域，尤其涉及一种芯片转移到晶圆的方法。

背景技术

SIP(System In Package)将多个不同功能的有源元件，以及无源元件、微机电系统(MEMS)、光学元件等其他元件，组合到一个单元中，形成一个可提供多种功能的系统或子系统，允许异质IC集成，是最好的封装集成。相比于SoC，SiP集成相对简单，设计周期和面市周期更短，成本较低，可以实现更复杂的系统。

与传统的SIP相比，3D晶圆级封装是在晶圆上完成封装制程，具有大幅减小封装结构的面积、降低制造成本、优化电性能、批次制造等优势，可明显的降低工作量与设备的需求。

现有技术中，将芯片键合到晶圆上一般都是通过直接贴装(Direct Attach)方式实现，这种方式只能够逐个拾取芯片转移到晶圆上进行贴装，效率比较低，生产成本高。

因此需要提出一种能够同时将大量芯片转移到晶圆上的方法。

发明内容

本发明的目的在于提供一种芯片转移到晶圆的方法，能够同时将大量芯片转移到晶圆上。

为了实现上述目的，本发明提供一种芯片转移到晶圆的方法，包括：

提供衬底，所述衬底包括一个或多个第一区域；

在所述衬底上形成多个呈阵列排布的源芯片，所述每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片，所述第一阵列为A行×B列；

提供第一目标器件晶圆，所述第一目标器件晶圆具有多个第一目标区域，所述第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同；

通过第一转移操作将所述一个或多个第一区域上的源芯片，全部转移到第一目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域；

所述第一转移操作的步骤包括：

提供静电载具，将所述静电载具移至所述源芯片层中所述源芯片阵列的上方；

使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述第一目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个或多个第一区域中的多个源芯片位于所述第一目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域上；

移除所述静电载具。

可选地，所述衬底包括一个或多个第二区域；所述每个第二区域内具有第二阵列排布的多个源芯片，所述第二阵列为C行×D列，且A与C不相等，B与D不相等；

所述第二目标器件晶圆具有多个第二目标区域，所述第二目标区域的尺寸与第二区域的尺寸相同；

通过第二转移操作将所述一个或多个第二区域上的源芯片，全部转移到第二目标器件晶圆的一个或多个第二目标区域，

S21：提供静电载具，将所述静电载具移至所述源芯片层中所述源芯片组阵列的上方；

S22：使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述第二目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个或多个第二区域中的多个源芯片位于所述第二目标器件晶圆的一个第二目标区域上；

S23：移除所述静电载具。