[发明专利]芯片转移到晶圆的方法

权利要求书

1.一种芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底包括一个或多个第一区域；

在所述衬底上形成多个呈阵列排布的源芯片，所述每个第一区域内具有第一阵列排布的源芯片，所述第一阵列为A行×B列；

提供第一目标器件晶圆，所述第一目标器件晶圆具有多个第一目标区域，所述第一目标区域的尺寸与第一区域的尺寸相同；

通过第一转移操作将所述一个或多个第一区域上的全部源芯片，转移到第一目标器件晶圆的一个或多个第一目标区域；

所述第一转移操作的步骤包括：

提供静电载具，将所述静电载具移至源芯片层中所述源芯片阵列的上方；

使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述第一目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个第一区域中的多个源芯片位于所述目标器件晶圆的一个第一目标区域上；

移除所述静电载具；

所述衬底还包括一个或多个第二区域；所述每个第二区域内具有第二阵列排布的多个源芯片，所述第二阵列为C行×D列，且A与C不相等，B与D不相等；

第二目标器件晶圆具有多个第二目标区域，所述第二目标区域的尺寸与第二区域的尺寸相同；

通过第二转移操作将所述一个或多个第二区域上的全部源芯片，转移到第二目标器件晶圆的一个或多个第二目标区域。

2.根据权利要求1所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，

S21：提供静电载具，将所述静电载具移至所述源芯片层中所述源芯片组阵列的上方；

S22：使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个或多个第二区域中的多个源芯片位于所述第二目标器件晶圆的一个或多个第二目标区域上；

S23：移除所述静电载具。

3.根据权利要求2所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，

所述衬底还包括一个或多个第三区域；所述每个第三区域内具有第三阵列排布的多个源芯片，所述第三阵列为E行×F列，且E与A和C均不相等，F与B和D均不相等；

第三目标器件晶圆具有一个或多个第三目标区域，所述第三目标区域的尺寸与第三区域的尺寸相同；

通过第三转移操作将所述一个或多个第三区域上的源芯片，全部转移到所述第三目标器件晶圆的一个或多个第三目标区域上，

S31：提供静电载具，将所述静电载具移至所述源芯片层中所述源芯片组阵列的上方；

S32：使所述静电载具同时吸附释放的多个源芯片并转移到所述第三目标器件晶圆上，使所述静电载具吸附一个或多个第三区域中的多个源芯片位于所述第三目标器件晶圆的一个或多个第三目标区域上；

S33：移除所述静电载具。

4.根据权利要求3所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，所述第一阵列的行间距、第二阵列的行间距和第三阵列的行间距相等或不相等；和/或，所述第一阵列的列间距、第二阵列的列间距和第三阵列的列间距相等或不相等。

5.根据权利要求3所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，所述第一区域中的源芯片为第一芯片，所述第二区域中的源芯片为第二芯片，所述第三区域中的源芯片为第三芯片，所述第一芯片、第二芯片和第三芯片为不同功能的芯片或者相同功能的芯片。

6.根据权利要求1所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，所述第一目标器件晶圆具有一个或多个第一器件容置区，所述一个第一器件容置区具有一个或多个第一目标区域；所述多个第一目标区域在所述第一器件容置区内呈阵列排布。

7.根据权利要求1所述的芯片转移到晶圆的方法，其特征在于，在所述衬底上形成多个呈阵列排布的源芯片的方法包括：

在所述衬底的上表面形成临时键合层；提供源器件晶圆，所述源器件晶圆具有器件区和包围所述器件区的切割区，所述器件区内具有多个整列排布的源芯片；

对所述器件晶圆的所述切割区进行第一处理，在所述源器件晶圆具有器件区的一面形成所述源芯片层；

将所述源芯片层与所述临时键合层键合；

对所述源器件晶圆进行第二处理，去除源芯片层以外的源器件晶圆，使源芯片层中的源芯片互相分离。