[发明专利]一种微LED器件及阵列

说明书

本发明提供了一种微LED器件及阵列，涉及半导体技术领域。该微LED器件从下往上依次包括N型半导体层，量子阱，P型半导体层以及至少一个微凸点金属堆叠层，微凸点金属堆叠层与P型半导体的一侧连接；微凸点金属堆叠层用于与目标基板连接，且微凸点金属堆叠层用于实现微LED器件与目标基板的电连接。本发明提供的微LED器件及阵列具有改善了薄膜型微LED器件的机械强度，便于组装焊接，提高了显示阵列的可靠性的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种微LED器件及阵列。

背景技术

发光二极管(Light Emitting Diode，LED)作为一种发光器件已经广泛应用于照明、背光等领域。近年来，将LED器件组装在驱动基板上构成LED阵列，独立控制LED的发光，将LED器件作为像素发光单元的LED显示已经广泛应用于户外广告等领域。将LED器件的尺寸进一步的LED器件的缩小可以提高像素密度，提高图像的显示质量，推动LED显示技术往室内显示和可穿戴显示领域发展。然而，LED器件尺寸的缩小为LED显示阵列的组装带来了许多的不便，成品率低。其中之一就是薄膜化的微LED器件的在纵向尺寸上也是超薄结构，力学性能差，转移过程容易碎裂或组装焊接可靠性和成品率低。

综上，现有技术中微LED的器件只是简单的对LED器件进行微型化和薄膜化处理，并没有为兼容后续转移和组装工艺进行特别的考虑。容易导致现有微LED技术在转移和组装中较为困难，成品率低。

发明内容

本申请的目的在于提供一种微LED器件结构及阵列，以解决现有技术中微LED的转移和组装较为困难的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种微LED器件，所述微LED器件从下往上依次包括N型半导体层、量子阱、P型半导体层以及至少一个微凸点金属堆叠层；其中，

所述微凸点金属堆叠层用于与目标基板连接，且所述微凸点金属堆叠层用于实现所述微LED器件与所述目标基板的电连接。

进一步地，所述微LED器件还包括第一欧姆接触金属层与第二欧姆接触金属层，所述微凸点金属堆叠层所述第一欧姆接触金属层和/或第二欧姆接触金属层连接，所述第一欧姆接触金属层与所述N型半导体层连接，所述第二欧姆接触金属层与所述P型半导体层连接。

进一步地，微LED器件还包括反射金属层，所述反射金属层设置于所述P型半导体层上。

进一步地，所述微凸点金属堆叠层的高度为1～50um。

进一步地，所述微凸点金属堆叠层包括多层金属层。

进一步地，所述多层金属层包括Ni/Cu/Sn。

进一步地，所述微凸点金属堆叠层的形状为长方体、圆柱体或圆台形。

进一步地，所述微凸点金属堆叠层包括焊接层，所述焊接层设置于所述微凸点金属堆叠层远离所述P型半导体层的一侧。

另一方面，本申请实施例还提供了一种微LED阵列，所述微LED阵列包括多个上述的微LED器件，且多个所述微LED器件阵列排布。

相对于现有技术，本申请具有以下有益效果：