[发明专利]一种微LED器件及阵列在审
| 申请号： | 201911415055.8 | 申请日： | 2019-12-31 |
| 公开（公告）号： | CN111129274A | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 刘久澄;龚政;陈志涛;潘章旭;郭婵 | 申请（专利权）人： | 广东省半导体产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L25/075 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 张欣欣 |
| 地址： | 510000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 器件 阵列 | ||
1.一种微LED器件，其特征在于，所述微LED器件从下往上依次包括N型半导体层、量子阱、P型半导体层以及至少一个微凸点金属堆叠层；其中，
所述微凸点金属堆叠层用于与目标基板连接，且所述微凸点金属堆叠层用于实现所述微LED器件与所述目标基板的电连接。
2.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微LED器件还包括第一欧姆接触金属层与第二欧姆接触金属层，所述微凸点金属堆叠层所述第一欧姆接触金属层和/或第二欧姆接触金属层连接，所述第一欧姆接触金属层与所述N型半导体层连接，所述第二欧姆接触金属层与所述P型半导体层连接。
3.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，微LED器件还包括反射金属层，所述反射金属层设置于所述P型半导体层上。
4.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸点金属堆叠层的高度为1～50um。
5.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸点金属堆叠层包括多层金属层。
6.如权利要求5所述的微LED器件，其特征在于，所述多层金属层包括Ni/Cu/Sn。
7.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸点金属堆叠层的形状为长方体、圆柱体或圆台形。
8.如权利要求1所述的微LED器件，其特征在于，所述微凸点金属堆叠层包括焊接层，所述焊接层设置于所述微凸点金属堆叠层远离所述P型半导体层的一侧。
9.一种微LED阵列，其特征在于，所述微LED阵列包括多个如权利要求1至8任意一项所述的微LED器件，且多个所述微LED器件阵列排布。
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