[发明专利]一种静电防护电路和显示装置在审
| 申请号: | 201911413326.6 | 申请日: | 2019-12-31 |
| 公开(公告)号: | CN111081703A | 公开(公告)日: | 2020-04-28 |
| 发明(设计)人: | 周雷;陶洪;徐苗;李民 | 申请(专利权)人: | 广州新视界光电科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/786 |
| 代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
| 地址: | 510700 广东省广州市高新技术*** | 国省代码: | 广东;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 静电 防护 电路 显示装置 | ||
本发明公开了一种静电防护电路和显示装置。所述静电防护电路包括两个串联连接的静电防护单元,静电防护单元包括至少一个薄膜晶体管,薄膜晶体管包括衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、源极和漏极;其中,栅极绝缘层位于有源层上且覆盖有源层的中间区,栅极位于栅极绝缘层上,栅极在衬底基板上的垂直投影与沟道区在衬底基板上的垂直投影重合,第一绝缘层位于衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极上,源极和漏极位于第一绝缘层上,源极与源极区电连接,漏极与漏极区电连接。本发明实施例提供的技术方案减少了静电防护电路的漏电量,减少了串联的二极管的数量,从而减小了静电防护电路的面积。
技术领域
本发明实施例涉及静电防护技术领域,尤其涉及一种静电防护电路和显示装置。
背景技术
显示面板的制备过程中会产生静电,受显示面板中基板不导电性质的限制,静电无导出途径,被集聚在显示面板内部,进而发生静电放电现象,破坏显示面板内部结构,影响显示面板的正常工作。
通过在显示面板内部设置静电防护电路的方式导出静电,但现有技术中静电防护电路通常存在漏电以及串联的二极管数量多导致静电防护电路面积大的缺点。
发明内容
本发明提供一种静电防护电路和显示装置,以减少静电防护电路的漏电量,减少串联的二极管数量,从而减小静电防护电路的面积。
第一方面,本发明实施例提供了一种静电防护电路,包括:
两个串联连接的静电防护单元,两个所述静电防护单元配合实现释放静电;
所述静电防护单元包括至少一个薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、源极和漏极;
所述有源层位于所述衬底基板上,所述有源层包括中间区,以及分别设置于所述中间区相对两侧的源极区和漏极区,所述中间区包括沟道区和轻掺杂区,所述轻掺杂区包括分别设置于所述沟道区相对两侧的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,所述第一轻掺杂区靠近所述源极区设置,所述第二轻掺杂区靠近所述漏极区设置;
所述栅极绝缘层位于所述有源层上且覆盖所述中间区;
所述栅极位于所述栅极绝缘层上,所述栅极在所述衬底基板上的垂直投影与所述沟道区在所述衬底基板上的垂直投影重合;
所述第一绝缘层位于所述衬底基板、所述有源层、所述栅极绝缘层以及所述栅极上;
所述源极和所述漏极位于所述第一绝缘层上,所述源极与所述源极区电连接,所述漏极与所述漏极区电连接。
第二方面,本发明实施例还提供了一种显示装置,包括上述第一方面所述的静电防护电路。
本发明实施例提供的技术方案,通过设置静电防护电路中的薄膜晶体管包括衬底基板、有源层、栅极绝缘层、栅极、第一绝缘层、源极和漏极,有源层位于衬底基板上,有源层包括中间区,以及分别设置于中间区相对两侧的源极区和漏极区,中间区包括沟道区和轻掺杂区,轻掺杂区包括分别设置于沟道区相对两侧的第一轻掺杂区和第二轻掺杂区,第一轻掺杂区靠近源极区设置,第二轻掺杂区靠近漏极区设置,栅极绝缘层位于有源层上且覆盖中间区,栅极位于栅极绝缘层上,栅极在衬底基板上的垂直投影与沟道区在衬底基板上的垂直投影重合,第一绝缘层位于衬底基板、有源层、栅极绝缘层以及栅极上,源极和漏极位于第一绝缘层上,源极与源极区电连接,漏极与漏极区电连接,使得静电防护电路的基础元件薄膜晶体管的阈值电压能够简单的通过控制位于栅极相对两侧的栅极绝缘层的长度而精准调节,便捷的实现高阈值电压的薄膜晶体管的制备,进而减小了静电防护电路的漏电量和薄膜晶体管的数量,达到减小静电防护电路面积的有益效果。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述,本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





