[发明专利]用于编程的电路结构

说明书

本申请属于集成电路设计技术领域，涉及一种用于编程的电路结构，包括：存储单元，被配置为保存数据；隔离单元，被配置为隔离所述存储单元，根据控制信号切换通断状态；位线控制单元，被配置为根据控制信号选择位线输出的顺序；读写控制单元，被配置为根据所述位线控制单元的电平信号读/写所述存储单元的数据。该电路结构能够通过隔离单元根据控制信号的切换实现编程结构的多种模式，从而可实现数据多次读写，也可实现数据的永久保存，掉电不丢失数据，用户还可通过开启字线读出数据，同时用户可选择是否永久写入数据，提高用户使用灵活度，并且采用商用工艺实现，降低制造成本。

技术领域

本申请涉及集成电路设计技术领域，例如涉及一种用于编程的电路结构。

背景技术

静态随机存取存储器(Static Random-Access Memory，SRAM)是随机存取存储器的一种，可以对存储数据进行读写，然而，当电力供应停止时，SRAM储存的数据则会消失。只读存储器(Read-Only Memory，ROM)是一种只能读出事先所存数据的固态半导体存储器，不能对数据进行修改和更新，只有一次编程机会，一旦烧写数据内容无法更改。因此如何实现既可以对存储数据进行修改和更新，还能根据用户的需求永久写入数据，实现掉电不丢失数据，是急需解决的问题。

发明内容

为了对披露的实施例的一些方面有基本的理解，下面给出了简单的概括。概括不是泛泛评述，也不是要确定关键/重要组成元素或描绘这些实施例的保护范围，而是作为后面的详细说明的序言。

本公开实施例提供了一种用于编程的电路结构，以解决现有技术中存储结构模式单一，无法实现既可以对数据进行读写，还可以对数据永久保存的技术问题。

在一些实施例中，所述用于编程的电路结构，包括：

存储单元，被配置为保存数据；

隔离单元，被配置为隔离所述存储单元，根据控制信号切换通断状态；

位线控制单元，被配置为根据控制信号选择位线输出的顺序；

读写控制单元，被配置为根据所述位线控制单元的电平信号读/写所述存储单元的数据。

本公开实施例提供的用于编程的电路结构，可以实现以下技术效果：能够通过隔离单元根据控制信号的切换实现编程结构的多种模式，从而可实现数据多次读写，也可实现数据的永久保存，掉电不丢失数据，用户还可通过开启字线读出数据，同时用户可选择是否永久写入数据，提高用户使用灵活度，并且采用商用工艺实现，降低制造成本。

以上的总体描述和下文中的描述仅是示例性和解释性的，不用于限制本申请。

附图说明

一个或多个实施例通过与之对应的附图进行示例性说明，这些示例性说明和附图并不构成对实施例的限定，附图中具有相同参考数字标号的元件示为类似的元件，附图不构成比例限制，并且其中：

图1是本公开实施例提供的一个用于编程的电路结构示意图；

图2是本公开实施例提供的另一个用于编程的电路结构示意图；

图3是本公开实施例提供的另一个用于编程的电路结构示意图。

具体实施方式

为了能够更加详尽地了解本公开实施例的特点与技术内容，下面结合附图对本公开实施例的实现进行详细阐述，所附附图仅供参考说明之用，并非用来限定本公开实施例。在以下的技术描述中，为方便解释起见，通过多个细节以提供对所披露实施例的充分理解。然而，在没有这些细节的情况下，一个或多个实施例仍然可以实施。在其它情况下，为简化附图，熟知的结构和装置可以简化展示。