[发明专利]用于编程的电路结构

权利要求书

1.一种用于编程的电路结构，其特征在于，包括：

存储单元，被配置为保存数据；

隔离单元，被配置为隔离所述存储单元，根据控制信号切换通断状态；

位线控制单元，被配置为根据控制信号选择位线输出的顺序；

读写控制单元，被配置为根据所述位线控制单元的电平信号读/写所述存储单元的数据；

所述存储单元包括耦合到存储节点的一对交叉耦合的反相器；

所述隔离单元被配置为将所述存储单元隔离为交叉耦合单元和编程单元；所述隔离单元包括：第一隔离单元，被配置为将存储节点与所述交叉耦合单元隔离；第二隔离单元，被配置为将所述存储节点与所述编程单元隔离；所述第一隔离单元和所述第二隔离单元被配置为：所述第一隔离单元和所述第二隔离单元截断时，从编程单元中读取保存的数据。

2.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述第一隔离单元和所述第二隔离单元被配置为：

所述第一隔离单元和所述第二隔离单元导通时，通过所述编程单元和/或所述交叉耦合单元保存数据。

3.根据权利要求1至2任一项所述的电路结构，其特征在于，所述第一隔离单元包括第三PMOS管MP3和第四PMOS管MP4；

所述第三PMOS管的源极连接所述交叉耦合单元的第一PMOS管的漏极和所述交叉耦合单元的第二PMOS管的栅极；

所述第三PMOS管的漏极与所述读写控制单元的第五NMOS管的源极、所述编程单元的第二NMOS管的栅极和所述第二隔离单元的第三NMOS管的漏极连接；

所述第三PMOS管的栅极与所述第四PMOS管的栅极连接，并连接控制信号；

所述第四PMOS管的源极与所述交叉耦合单元的第二PMOS管的漏极和所述交叉耦合单元的第一PMOS管的栅极连接；

所述第四PMOS管的漏极与所述读写控制单元的第六NMOS管的源极、所述编程单元的第一NMOS管的栅极和所述第二隔离单元的第四NMOS管的漏极连接。

4.根据权利要求1至2任一项所述的电路结构，其特征在于，所述第二隔离单元包括：第三NMOS管MN3和第四NMOS管MN4；

所述第三NMOS管的源极连接所述编程单元的第一NMOS管的漏极；

所述第三NMOS管的漏极与所述第一隔离单元的第三PMOS管的漏极、所述读写控制单元的第五NMOS管源极和所述编程单元的第二NMOS管栅极连接；

所述第三NMOS管的栅极与所述第四NMOS管的栅极连接，并连接控制信号；

所述第四NMOS管的源极连接所述编程单元第二NMOS管的漏极；

所述第四NMOS管的漏极与所述第一隔离单元的第四PMOS管的漏极、所述读写控制单元的第六NMOS管的源极和所述编程单元第一NMOS管的栅极连接。

5.根据权利要求1所述的电路结构，其特征在于，所述读写控制单元包括：

NMOS晶体管，其栅极与位线连接，通过控制读/写所述NMOS晶体管的栅极与位线的电平读写所述存储单元的数据。

6.根据权利要求1至5任一项所述的电路结构，其特征在于，所述交叉耦合单元、隔离单元、读写控制单元及位线控制单元的击穿电压均大于所述编程单元的击穿电压。