[发明专利]阵列基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种阵列基板及其制作方法。本发明提供的阵列基板，包括基板、设置在基板上的栅极、覆盖栅极及基板的绝缘层和覆盖绝缘层的半导体层，半导体层具有第一间隔和第二间隔，第一间隔和第二间隔将半导体层分为第一半导体部、第二半导体部和第三半导体部，且第一间隔和第二间隔内分别设置有源极和漏极；其中，与漏极的一侧相邻的第三半导体部导体化形成像素电极。本发明的阵列基板的性能较好，且阵列基板的制作工艺较为简单，制作成本较低。

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法。

背景技术

液晶显示面板通常由相对设置的阵列基板、彩膜基板以及夹设在阵列基板和彩膜基板之间的液晶分子层组成，通过在阵列基板和彩膜基板之间施加驱动电压，可控制液晶分子旋转，从而使背光模组的光线折射出来产生画面。

现有技术中的阵列基板通常是通过在玻璃基板上沉积金属层，并通过光刻工艺使金属层形成栅极；在玻璃基板和栅极上依次沉积栅极绝缘层和半导体层，并通过光刻工艺形成有源岛图形；然后在半导体层上沉积源漏极金属层，并通过光刻工艺形成源极和漏极；在半导体层及源极和漏极上沉积钝化层，并通过光刻工艺在钝化层表面形成连通至半导体层表面的导电过孔；最后在钝化层上沉积透明导电薄膜，并通过光刻工艺形成像素电极以及导电过孔与像素电极的连通图形。

但是，现有技术的阵列基板的半导体层的性能不佳，且制作阵列基板的工艺较为复杂，制作成本较高。

发明内容

本发明提供一种阵列基板及其制作方法，阵列基板的性能较好，且阵列基板的制作工艺较为简单，制作成本较低。

一方面，本发明提供一种阵列基板，包括基板、设置在基板上的栅极、覆盖栅极及基板的绝缘层和覆盖绝缘层的半导体层，半导体层具有第一间隔和第二间隔，第一间隔和第二间隔将半导体层分为第一半导体部、第二半导体部和第三半导体部，且第一间隔和第二间隔内分别设置有源极和漏极；其中，与漏极的一侧相邻的第三半导体部通过导体化形成像素电极；

源极的上部贴设在半导体层的表面，源极的下部伸入第一间隔内并与绝缘层贴合；漏极的上部的两侧分别贴设在第二半导体部和像素电极的表面，漏极的下部伸入第二间隔内并与绝缘层贴合；

还包括设置在半导体层上的阻挡层，阻挡层包括位于第一半导体部上的第一阻挡部和位于第二半导体部上的第二阻挡部，第一阻挡部和第二阻挡部之间具有第三间隔，第三间隔与第一间隔对应，且第二半导体部的两侧暴露在第二阻挡部之外。

可选的，阻挡层还包括位于像素电极上的第三阻挡部，第二阻挡部和第三阻挡部之间具有第四间隔，第四间隔与第二间隔对应，且像素电极与漏极相邻的一侧暴露在第三阻挡部之外。

可选的，源极的上部位于第三间隔内，且源极的上部两侧边缘分别与第一阻挡部和第二阻挡部接触；漏极的上部位于第四间隔内，且漏极的上部两侧边缘分别与第二阻挡部和第三阻挡部接触。

可选的，阵列基板还包括设置在阻挡层上的平坦层，平坦层覆盖阵列基板。

另一方面，本发明提供一种阵列基板的制作方法，包括以下步骤：

在基板上形成栅极；

在基板及栅极上依次形成绝缘层、半导体层和阻挡层；

通过光刻工艺将半导体层图形化；其中，半导体层图形化为第一半导体部、第二半导体部和第三半导体部，第二半导体部与第一半导体部及第三半导体部之间分别具有第一间隔和第二间隔；

对阻挡层进行刻蚀以使阻挡层图形化，以使第二半导体部的两侧及第三半导体部的与第二半导体部相邻的一侧均暴露在刻蚀后的阻挡层外；

对暴露在阻挡层外的第二半导体部的两侧进行导体化，使第二半导体部的两侧分别形成与源极和漏极连接的触点，对第三半导体部进行导体化使其形成像素电极；