[发明专利]阵列基板及其制作方法

权利要求书

1.一种阵列基板，其特征在于，包括基板、设置在所述基板上的栅极、覆盖所述栅极及所述基板的绝缘层和覆盖所述绝缘层的半导体层，所述半导体层具有第一间隔和第二间隔，所述第一间隔和所述第二间隔将所述半导体层分为第一半导体部、第二半导体部和第三半导体部，且所述第一间隔和所述第二间隔内分别设置有源极和漏极；其中，与所述漏极的一侧相邻的所述第三半导体部通过导体化形成像素电极；

所述源极的上部贴设在所述半导体层的表面，所述源极的下部伸入所述第一间隔内并与所述绝缘层贴合；所述漏极的上部的两侧分别贴设在所述第二半导体部和所述像素电极的表面，所述漏极的下部伸入所述第二间隔内并与所述绝缘层贴合；

还包括设置在所述半导体层上的阻挡层，所述阻挡层包括位于所述第一半导体部上的第一阻挡部和位于所述第二半导体部上的第二阻挡部，所述第一阻挡部和所述第二阻挡部之间具有第三间隔，所述第三间隔与所述第一间隔对应，且所述第二半导体部的两侧暴露在所述第二阻挡部之外。

2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述阻挡层还包括位于所述像素电极上的第三阻挡部，所述第二阻挡部和所述第三阻挡部之间具有第四间隔，所述第四间隔与所述第二间隔对应，且所述像素电极与所述漏极相邻的一侧暴露在所述第三阻挡部之外。

3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述源极的上部位于所述第三间隔内，且所述源极的上部两侧边缘分别与所述第一阻挡部和所述第二阻挡部接触；所述漏极的上部位于所述第四间隔内，且所述漏极的上部两侧边缘分别与所述第二阻挡部和所述第三阻挡部接触。

4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，还包括设置在所述阻挡层上的平坦层，所述平坦层覆盖所述阵列基板。

5.一种阵列基板的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在基板上形成栅极；

在所述基板及所述栅极上依次形成绝缘层、半导体层和阻挡层；

通过光刻工艺将所述半导体层图形化；其中，所述半导体层图形化为第一半导体部、第二半导体部和第三半导体部，所述第二半导体部与所述第一半导体部及所述第三半导体部之间分别具有第一间隔和第二间隔；

对所述阻挡层进行刻蚀以使所述阻挡层图形化，以使所述第二半导体部的两侧及所述第三半导体部的与所述第二半导体部相邻的一侧均暴露在刻蚀后的所述阻挡层外；

对暴露在所述阻挡层外的所述第二半导体部的两侧进行导体化，使所述第二半导体部的两侧分别形成与源极和漏极连接的触点，对所述第三半导体部进行导体化使其形成像素电极；

通过光刻工艺在所述第一间隔和所述第二间隔分别形成源极和漏极，其中，所述源极和所述漏极相对的一侧均与所述第二半导体部接触，且所述漏极的另一侧与所述像素电极接触。

6.根据权利要求5所述的制作方法，其特征在于，所述通过光刻工艺将所述半导体层图形化，具体包括：

在所述阻挡层上设置光刻胶层；

采用半色调掩膜版对所述光刻胶层进行曝光显影以形成光刻胶层图形；所述光刻胶层图形包括无光刻胶区、半光刻胶区和全光刻胶区；所述无光刻胶区包括第一无光刻胶区和第二无光刻胶区，所述半光刻胶区包括第一半光刻胶区、第二半光刻胶区和第三半光刻胶区；其中，所述第一无光刻胶区和所述第二无光刻胶区分别对应所述第一间隔和所述第二间隔，所述第一半光刻胶区和所述第二半光刻胶区分别与所述第一无光刻胶区和所述第二无光刻胶区相邻且位于两者之间，且与暴露在所述阻挡层外的所述第二半导体部的两侧对应，所述第三半光刻胶区相邻设置于所述第二无光刻胶区的另一侧，所述光刻胶层上除所述无光刻胶区和所述半光刻胶区外其他均为所述全光刻胶区；

以所述光刻胶层图形作为保护对所述阻挡层和所述半导体层进行刻蚀，以使所述半导体层形成所述第一半导体部、所述第二半导体部和所述第三半导体部。