[发明专利]封装器件的失效分析方法

权利要求书

1.一种封装器件的失效分析方法，其特征在于，包括：

提供一封装器件，所述封装器件包括自下向上的封装基体层、芯片主体层和封装盖板层，所述封装基体层具有多条导电线路和多个外接测试点，且每条所述导电线路与对应的所述外接测试点电性连接；所述芯片主体层具有多个焊盘，且每个所述焊盘与对应的所述导电线路电性连接；

获取每个所述焊盘通过对应的所述导电线路与对应的所述外接测试点之间的电性连接关系；

通过所述外接测试点对所述芯片主体层进行电性测试，以获取电性测试出现异常的所述电性连接关系；

根据电性测试出现异常的所述电性连接关系，抓取所述芯片主体层中的热点，并在所述芯片主体层的顶表面标记所述热点的位置；以及，

去除所述封装盖板层，并根据所述热点的位置对所述芯片主体层进行失效分析。

2.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，所述焊盘包括焊接焊盘和测试焊盘，所述焊接焊盘与所述测试焊盘电性连接，所述焊接焊盘与对应的所述导电线路电性连接。

3.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，所述芯片主体层还包括介质层，所述介质层将所述焊盘的顶表面暴露出来；所述热点的位置标记在所述介质层的顶表面。

4.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，通过对所述封装器件进行透视扫描，以获取每个所述焊盘通过对应的所述导电线路与对应的所述外接测试点之间的电性连接关系。

5.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，获取电性测试出现异常的所述电性连接关系的步骤包括：

将一个所述外接测试点接地且另一个所述外接测试点接入电压，以与对应的所述导电线路和所述焊盘构成测试回路；以及，

测试每个所述测试回路的电流随电压的变化关系，以获取电流随电压的变化出现异常的所述测试回路，进而获得电性测试出现异常的所述电性连接关系。

6.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，根据电性测试出现异常的所述电性连接关系，抓取所述芯片主体层中的热点的步骤包括：提供一个固定电压给电性测试出现异常的所述电性连接关系中的外接测试点，采用热点机台抓取所述热点。

7.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，在所述芯片主体层的顶表面标记所述热点的位置的步骤包括：采用热点机台调节激光的聚焦点，以使得激光穿过所述封装盖板层后聚焦在所述芯片主体层的顶表面，进而采用激光在所述芯片主体层的顶表面上的所述热点的位置外围打上至少三个标记，以定位所述热点在所述芯片主体层的顶表面上的位置。

8.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，所述热点的位置为直径不超过3μm的范围。

9.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，去除所述封装盖板层的方法包括：对所述封装盖板层进行研磨，或者，采用加热的酸性溶液去除所述封装盖板层。

10.如权利要求1所述的封装器件的失效分析方法，其特征在于，根据所述热点的位置对所述芯片主体层进行失效分析的步骤包括：

从靠近所述热点的位置处开始对所述芯片主体层进行多次切割，且在每次切割的同时对切割面进行观察，直至切割到缺陷位置；以及，

对所述芯片主体层进行减薄，以对所述缺陷位置处的切割面进行形貌检测。