[发明专利]集成电路器件

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

多个沟道结构，在竖直方向上从衬底的主表面延伸；

多个存储器单元串，在所述竖直方向上沿所述多个沟道结构设置，其中每一个存储器单元串包括多个串联连接的存储器单元；

多个栅极线，在所述竖直方向上彼此间隔开并包括擦除控制线和串选择线；以及

多个驱动晶体管，包括连接到所述擦除控制线的擦除控制驱动晶体管以及连接到所述串选择线的串选择驱动晶体管，

其中所述多个栅极线中的关于所述衬底的所述主表面在水平方向上彼此间隔开的至少两个栅极线共同连接到所述多个驱动晶体管中的一个驱动晶体管。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中至少两个擦除控制线在所述水平方向上彼此间隔开并通过在所述水平方向上延伸的公共连接布线共同连接。

3.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：

多个位线，所述多个位线分别连接到所述多个存储器单元串，在所述水平方向上延伸，并且设置在与所述公共连接布线的高度不同的高度处。

4.根据权利要求2所述的集成电路器件，还包括：

至少两个块，包括第一块和第二块，

其中所述公共连接布线将所述第一块的擦除控制线共同连接到所述第二块的擦除控制线。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述擦除控制线中的至少一个擦除控制线的厚度大于所述串选择线中的至少一个串选择线的厚度。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：

多个字线，分别连接到所述多个存储器单元串，

其中所述多个字线中的每一个字线在所述水平方向上的宽度是所述多个栅极线中的每一个栅极线的宽度的至少两倍。

7.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层接触所述多个栅极线中的至少一个栅极线和所述多个字线中的至少一个字线，并且

所述栅极绝缘层的面向所述擦除控制线的侧表面的第一部分的厚度小于所述栅极绝缘层的面向所述多个字线的侧表面的第二部分的厚度。

8.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层接触所述多个栅极线中的至少一个栅极线和所述多个字线中的至少一个字线，并且

所述栅极绝缘层的接触所述擦除控制线的侧表面的第一部分的厚度小于所述栅极绝缘层的接触所述串选择线的侧表面的第二部分的厚度。

9.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括栅极绝缘层，所述栅极绝缘层接触所述多个栅极线中的至少一个栅极线和所述多个字线中的至少一个字线，并且

所述栅极绝缘层的接触所述串选择线的侧表面的第一部分的厚度小于所述栅极绝缘层的接触所述多个字线中的至少一个字线的侧表面的第二部分的厚度。

10.根据权利要求6所述的集成电路器件，其中所述多个沟道结构中的每一个沟道结构包括栅极绝缘层以及设置在所述栅极绝缘层上的沟道层，所述栅极绝缘层接触所述多个栅极线中的至少一个栅极线和所述多个字线中的至少一个字线，以及

所述沟道层的最上端设置的高度小于或等于所述栅极绝缘层的最上端设置的高度。

11.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中在所述水平方向上彼此间隔开的至少两个擦除控制线共同连接到一个擦除控制驱动晶体管，以及

在所述水平方向上彼此间隔开的所述至少两个串选择线中的每一个串选择线连接到所述至少两个串选择驱动晶体管中的一个串选择驱动晶体管。

12.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中所述擦除控制线中的至少一个擦除控制线和所述串选择线中的一个串选择线在所述竖直方向上彼此间隔开。