[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管

说明书

本发明公开一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，所述纳米材料的制备方法包括步骤：将Zn源、磷钼酸和有机溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。

技术领域

本发明涉及量子点发光器件领域，尤其涉及一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管。

背景技术

量子点由于具有光色纯度高、发光量子效率高、发光颜色可调、量子产额高等优点，加上可利用印刷工艺制备，所以基于量子点的发光二极管(即量子点发光二极管：QLED)近来受到人们的普遍关注，其器件性能指标也发展迅速。但在蓝色QLED器件中，电子的注入传输会弱于空穴，这会导致产生较多的激子-空穴三粒子系统，通常空穴对激子的淬灭效应会强于电子，因此电子注入不足的蓝光器件面临严重的激子淬灭，从而严重限制了QLED器件的性能。ZnO因为具有高透过率，高电子迁移率、低成本、环境兼容和制备工艺简单等优势，并广泛用于电致发光器件的电子传输层，但仍不能解决器件中的载流子不平衡等问题，目前，已有大量关于改性ZnO来提高电子的注入传输性能的文献报道，例如Al掺杂的ZnO、In掺杂的ZnO等，但这些掺杂材料的性能还不能满足要求。

因此，现有技术还有待于改进和发展。

发明内容

鉴于上述现有技术的不足，本发明的目的在于提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，旨在解决现有量子点发光二极管中ZnO电子传输层的电子传输效率不高的问题。

本发明的技术方案如下：

一种纳米材料的制备方法，其中，包括步骤：

将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料。

一种纳米材料，其中，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、与所述ZnO纳米颗粒结合的磷钼酸，所述纳米材料为纳米片。

一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其中，所述电子传输层材料包括本发明所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料包括本发明所述的纳米材料。

有益效果：本发明通过在ZnO成核阶段引入PMA干预成核，ZnO晶核与PMA团聚共组装的方法实现二维杂化ZnO-PMA超细纳米片的可控合成。与现有普通ZnO纳米材料相比，本发明纳米材料在溶液中的稳定性更高，成膜更均匀，而普通ZnO纳米颗粒在溶液中不稳定，易析出；并且其电子迁移率明显更高，这主要是因为二维杂化超细纳米片的优异结构；另外所述纳米材料与蓝色量子点的壳层能级更加匹配，这有利于电子的快速注入传输，从而有效平衡器件发光层中的载流子，提高器件的光学性能。

附图说明

图1为本发明实施例中提供的一种正型结构的量子点发光二极管的结构示意图。

图2为本发明实施例中提供的一种反型结构的量子点发光二极管的结构示意图。

图3为图1结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

图4为图2结构的量子点发光二极管的制备方法的流程示意图。

具体实施方式

本发明提供一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管，为使本发明的目的、技术方案及效果更加清楚、明确，以下对本发明进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。