[发明专利]一种纳米材料及其制备方法与量子点发光二极管

权利要求书

1.一种纳米材料的制备方法，其特征在于，包括步骤：

将Zn源、磷钼酸和溶剂混合，经反应生成ZnO晶核，ZnO晶核与磷钼酸共组装，得到片状结构的纳米材料，其中，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片，所述纳米片的厚度小于2nm，长度小于5nm。

2.根据权利要求1所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述将Zn源、磷钼酸和溶剂混合的步骤中，所述Zn源与磷钼酸的摩尔比为1:1～1:5。

3.根据权利要求1所述的纳米材料的制备方法，其特征在于，所述反应的温度为20～80℃；和/或所述反应的时间为2～48h。

4.一种纳米材料，其特征在于，所述纳米材料包括：ZnO纳米颗粒、与所述ZnO纳米颗粒结合的磷钼酸，所述纳米材料为纳米片，其中，所述纳米材料为ZnO纳米颗粒与磷钼酸自组装而成的纳米片，所述纳米片的厚度小于2nm，长度小于5nm。

5.根据权利要求4所述的纳米材料，其特征在于，所述纳米片的长度小于2nm。

6.一种量子点发光二极管，包括：阳极、阴极、设置在所述阳极和阴极之间的量子点发光层、设置在所述阴极和量子点发光层之间的电子传输层，其特征在于，所述电子传输层材料包括权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料包括权利要求4-5任一项所述的纳米材料。

7.根据权利要求6所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层材料为权利要求1-3任一项所述的制备方法制备得到的纳米材料；和/或所述电子传输层材料为权利要求4-5任一项所述的纳米材料。

8.根据权利要求7所述的量子点发光二极管，其特征在于，所述电子传输层的厚度为10-60nm。