[发明专利]一种光电探测器有效
| 申请号: | 201911400911.2 | 申请日: | 2019-12-30 |
| 公开(公告)号: | CN111128897B | 公开(公告)日: | 2021-11-05 |
| 发明(设计)人: | 崔延光 | 申请(专利权)人: | 江苏大摩半导体科技有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/16;H01L21/56;H01L23/31 |
| 代理公司: | 天津创信方达专利代理事务所(普通合伙) 12247 | 代理人: | 段小丽 |
| 地址: | 210000 江苏省南京市江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 一种 光电 探测器 | ||
本发明提供了一种光电探测器,本发明的光电探测器是一种全塑封、无焊接的封装结构,本发明的封装结构在保证密封性的同时,精简了封装的结构,节省了材料,无需任何焊线或者焊球等焊接工艺。并且,本发明为了准直性,设置了光纤块,所述光纤块的设置还能够保证导电油墨不遮蔽出光面和受光面,且可以防止导电油墨短路。
技术领域
本发明涉及半导体器件封装领域,属于H01L23/00分类号下,具体涉及一种光电探测器。
背景技术
现有的探测器多采用基板上塑封芯片结构,即COB结构,其需要使用基板来承载芯片以实现电路连接,然后在上表面塑封芯片,该种设置,由于基板和塑封材料的热膨胀系数不同,会导致应力翘曲,从而使得所述塑封材料从所述基板上剥离。此外,上述结构其对于封装的薄型化、简单化和低成本化是不利的,其也不能够实现电引出的灵活性和简便性。
发明内容
基于解决上述问题,本发明提供了一种光电探测器的制造方法,其包括以下步骤:
(1)提供具有粘合层的载板,在所述粘合层上形成图案化的第一树脂层,所述第一树脂层中具有多个开口;
(2)将多个光电发射芯片与多个光电接收芯片依次设置于所述第一树脂层上,所述光电发射芯片与光电接收芯片间隔排列;
(3)形成挡光围墙,所述围墙分别围绕所述光电发射芯片与光电接受芯片;
(4)在所述光电发射芯片与光电接受芯片的上表面分别固定光纤块,所述光纤块与所述光电发射芯片与光电接受芯片的尺寸相同,且在所述光纤块发热边缘区域具有多个凹口,所述多个凹口露出所述光电发射芯片与光电接收芯片的电极;
(5)在所述多个凹口中点胶填充导电油墨,所述导电油墨流动填充所述多个开口,然后经过固化形成导电连接部,所述导电连接部将所述电极引出至所述多个开口位置以形成外部连接端子;
(6)在所述围墙内填充第二树脂层,所述第二树脂层覆盖所述导电油墨、所述光纤块、所述光电发射芯片与光电接受芯片。
其中,还包括步骤(8),去除所述载体和粘合层。
其中,还包括步骤(9),切割以实现单体化,得到最终具有单个光电发射芯片和单个光电接收芯片的光电探测器;其中,所述切割沿着所述围墙的中心进行。
其中,在步骤(6)中,填充第二树脂层具体包括在所述光电发射芯片上沉积第二树脂层,所述第二树脂层形成为凸起的凸面镜;在所述光电接收芯片上沉积第二树脂层,所述第三树脂层形成为平面结构。
其中,在步骤(5)中,填充导电油墨具体包括,在所述围墙的空腔内插入隔板,所述隔板与所述围墙、所述芯片围成多个开窗,通过点胶工艺在所述开窗中形成导电油墨,并经固化形成导电连接部,然后去除所述隔板。
根据上述方法,本发明还提供了一种光电探测器,具体包括:
第一树脂层,所述第一树脂层具有多个开口;
光电发射芯片和光电接收芯片,设置于所述第一树脂层上;
挡光围墙,分别环绕所述光电发射芯片和光电接收芯片;
光纤块,固定于所述光电发射芯片与光电接受芯片上,且所述光纤块与所述光电发射芯片与光电接受芯片的尺寸相同,且在所述光纤块发热边缘区域具有多个凹口,所述多个凹口露出所述光电发射芯片与光电接收芯片的电极;
固化的导电油墨,填充于所述凹口和所述围墙中,所述导电油墨将所述电极引出至所述多个开口位置以形成外部连接端子;
第二树脂层,填充满所述围墙的空腔,且覆盖所述导电油墨、所述光纤块、所述光电发射芯片与光电接受芯片。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏大摩半导体科技有限公司,未经江苏大摩半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911400911.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





