[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911399797.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113130824B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 黄盼宁;卢子哲 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 曹柳
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【说明书】:

发明属于显示器件技术领域,尤其涉及一种量子点发光二极管,包括空穴传输层、量子点发光层及第一碳量子点层,所述第一碳量子点层设置于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间,所述第一碳量子点层包括若干第一碳量子点。本发明实提供的量子点发光二极管,电荷传输性能好,导电性高,且量子点发光二极管性能稳定。

技术领域

本发明属于显示器件技术领域,尤其涉及一种量子点发光二极管及其制备方法。

背景技术

量子点(QD)由于具有显著的量子点限域效应,使得其具有发光波长可调、峰宽窄、发光效率高、寿命长、热稳定性高和优良的可溶液加工性等优点,在新型显示和照明、太阳能电池、生物标记等领域具有广泛地应用前景。近年来,量子点发光材料在LED照明、液晶显示等领域发挥了很大的作用,量子点替代传统的荧光粉,有效地提高了LED以及液晶显示的色域。最近,以量子点发光材料作为发光层的量子点发光二极管(QLED)在固态照明、平板显示等领域具有广泛的应用前景,受到了学术界以及产业界的广泛关注,其具有色域范围广、色彩饱、色纯度高和制备成本低等优点,成为极具潜力的下一代新型显示。

量子点发光二极管结构为典型的“三明治”结构,由于空穴传输材料的电荷迁移率通常比电子传输层材料的电荷迁移率要低,因此,器件在工作时常常会造成电子、空穴注入不平衡,同时造成量子点和空穴传输层界面间堆积大量的载留子。过多的载流子会极易引发非辐射复合,甚至猝灭发光,这极大的限制了QLED器件性能的大幅度提升。目前,空穴传输层的材料一般采用聚(3,4-乙撑二氧噻吩):聚苯乙烯磺酸盐(PEDOT:PSS)导电聚合物,PEDOT:PSS具有导电率较高、能带宽度窄、透光率高、稳定性高、可溶液加工性能以及绿色环保等诸多优点,成为了现阶段研究较多以及应用广泛的导电高分子材料,也常被用作空穴传输材料用于制备QLED器件。但是,目前PEDOT:PSS空穴材料的电导率仍有待进一步提高,并且由于PSS含有两性官能团,磺酸又是强酸,导致PEDOT:PSS空穴材料的酸性会对电极有腐蚀性,影响器件的稳定性。

发明内容

本发明的目的在于提供一种量子点发光二极管,旨在一定程度解决量子点发光二极管中空穴传输层电导率仍较低,以及PEDOT:PSS等空穴材料的酸性腐蚀电极,影响器件稳定性等技术问题。

本发明的另一目的在于提供一种量子点发光二极管的制备方法。

为了实现上述发明目的,本发明采用的技术方案如下:

一种量子点发光二极管,包括空穴传输层、量子点发光层及第一碳量子点层,所述第一碳量子点层设置于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间,所述第一碳量子点层包括若干第一碳量子点。

相应地,一种量子点发光二极管的制备方法,包括以下步骤:

提供空穴传输层,在所述空穴传输层上沉积第一碳量子点,形成第一碳量子点层;

在所述第一碳量子点层远离所述空穴传输层的另一侧表面沉积量子点材料,形成量子点发光层;

或者,

提供量子点发光层,在所述量子点发光层上沉积第一碳量子点,形成第一碳量子点层;

在所述第一碳量子点层远离所述量子点发光层的另一侧表面沉积空穴传输材料,形成空穴传输层。

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