[发明专利]量子点发光二极管及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201911399797.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN113130824B 公开(公告)日: 2022-10-11
发明(设计)人: 黄盼宁;卢子哲 申请(专利权)人: TCL科技集团股份有限公司
主分类号: H01L51/54 分类号: H01L51/54;H01L51/50;H01L51/56;B82Y30/00;B82Y40/00
代理公司: 深圳中一联合知识产权代理有限公司 44414 代理人: 曹柳
地址: 516006 广东省惠州市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 量子 发光二极管 及其 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种量子点发光二极管,其特征在于,包括空穴传输层、量子点发光层及第一碳量子点层,所述第一碳量子点层设置于所述空穴传输层与所述量子点发光层之间,所述第一碳量子点层包括若干第一碳量子点;

所述量子点发光二极管还包括第二碳量子点层和阳极,所述第二碳量子点层设置于所述阳极与所述空穴传输层之间,所述第二碳量子点层包括若干第二碳量子点。

2.如权利要求1所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一碳量子点层的厚度为20~40纳米;和/或,

所述第二碳量子点层的厚度为20~40纳米。

3.如权利要求2所述的量子点发光二极管,其特征在于,所述第一碳量子点为氨基功能化的碳量子点,和/或,

所述第二碳量子点为氨基功能化的碳量子点。

4.一种量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:

提供空穴传输层,在所述空穴传输层上沉积第一碳量子点,形成第一碳量子点层;

在所述第一碳量子点层远离所述空穴传输层的另一侧表面沉积量子点材料,形成量子点发光层;

或者,

提供量子点发光层,在所述量子点发光层上沉积第一碳量子点,形成第一碳量子点层;

在所述第一碳量子点层远离所述量子点发光层的另一侧表面沉积空穴传输材料,形成空穴传输层;

所述提供空穴传输层的步骤包括:

提供沉积有阳极的基板,在所述阳极上沉积第二碳量子点,形成第二碳量子点层;

在所述第二碳量子点层远离所述阳极的另一侧表面沉积空穴传输材料,形成所述空穴传输层。

5.如权利要求4所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述第一碳量子点和/或所述第二碳量子点的制备包括步骤:将碳源和氮源溶解在水中,在温度为150~200℃的加压条件下反应3~8小时后,分离处理,得到碳量子点。

6.如权利要求5所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述将碳源和氮源溶解在水中的步骤包括:按所述碳源、所述氮源和水的质量比为(0.5-3):(1-5):(20-40),将所述碳源和所述氮源溶解在水中;和/或,

所述分离处理的步骤包括:采用截留分子量大于等于3500的透析装置对加压反应后的混合溶液进行分离处理后得到碳量子点;和/或,

所述加压条件的压力为10~100MPa。

7.如权利要求5~6任一所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述碳源包括:柠檬酸、葡萄糖、维生素、果糖、蔗糖、乳酸中的至少一种;和/或,

所述氮源包括:尿素、氨基酸中的至少一种。

8.如权利要求7所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述沉积第一碳量子点的条件包括:将所述第一碳量子点配制成浓度为15~30mg/ml的溶液后,以3000~5000rpm的转速旋涂10~20s,干燥形成第一碳量子点层;和/或,

所述沉积第二碳量子点的条件包括:将所述第二碳量子点配制成浓度为15~30mg/ml的溶液后,以3000~5000rpm的转速旋涂10~20s,干燥形成第二碳量子点层。

9.如权利要求4~5任一所述的量子点发光二极管的制备方法,其特征在于,所述第一碳量子点层的厚度为20~40纳米;和/或,

所述第二碳量子点层的厚度为20~40纳米;和/或,

所述空穴传输层材料包括PEDOT:PSS。

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