[发明专利]封装结构及其成型方法

说明书

本发明揭示了一种封装结构及其成型方法，封装结构包括基板及重布线层，重布线层包括间隔分布的多个金属凸块，至少金属凸块的周缘覆盖有种子层，且相邻金属凸块的种子层之间相互断开，种子层远离金属凸块的一侧设有介电层。本发明一实施方式的种子层的金属特性稳定，可实现对金属凸块侧壁的有效保护，防止金属凸块氧化腐蚀而发生金属间迁移，从而避免芯片漏电失效，大大提高了封装结构的可靠性，另外，种子层远离金属凸块的一侧还覆盖有介电层，介电层可进一步提高封装结构的可靠性。

技术领域

本发明涉及封装技术领域，尤其涉及一种封装结构及其成型方法。

背景技术

在集成电路封装工艺中，重布线层(redistribution layer，RDL)中包括多个金属凸块(BUMP)，金属凸块一般为铜块，铜块之间间距很小，大约在10～20um之间，且非常细窄，而铜特性活泼，容易发生氧化和腐蚀而导致失效，在铜块的侧壁无有效保护措施时，高温高湿环境下铜块容易发生氧化和腐蚀而在狭小间隙内发生金属迁移，进而导致芯片漏电失效。

发明内容

本发明的目的在于提供一种封装结构及其成型方法。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种封装结构，包括基板及重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块，至少所述金属凸块的周缘覆盖有种子层，且相邻金属凸块的种子层之间相互断开，所述种子层远离所述金属凸块的一侧设有介电层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述种子层包括相连的第一种子层、第二种子层及第三种子层，所述第一种子层位于所述金属凸块的周缘，所述第二种子层位于所述金属凸块远离所述基板的一侧表面，所述第三种子层位于所述基板上，且相邻的所述第三种子层之间相互断开。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述第二种子层完全覆盖所述金属凸块远离所述基板的一侧表面。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述介电层覆盖所述第一种子层、所述第二种子层及所述第三种子层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，所述种子层为钛层，所述介电层为PI层。

为实现上述发明目的之一，本发明一实施方式提供一种封装结构的成型方法，包括步骤：

于晶圆基板上形成重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块；

至少于所述金属凸块的周缘依次形成种子层及介电层；

断开相邻金属凸块的种子层之间的连接。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤“至少于所述金属凸块的周缘依次形成种子层及介电层”具体包括：

通过溅镀工艺于远离晶圆基板的一侧形成种子层，所述种子层包覆所述金属凸块及相邻金属凸块中间的区域；

通过旋涂工艺于所述种子层远离所述晶圆基板的一侧形成介电层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤：“断开相邻金属凸块的种子层之间的连接”具体包括：

通过曝光显影工艺于相邻金属凸块之间的介电层处形成通孔，所述通孔暴露出所述种子层；

通过刻蚀工艺去除所述通孔暴露出的种子层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，步骤：“断开相邻金属凸块的种子层之间的连接”具体包括：

通过曝光显影工艺于相邻金属凸块之间的介电层处形成通孔，所述通孔暴露出所述种子层，且所述通孔与所述金属凸块周缘的种子层之间具有介电层；

通过刻蚀工艺去除所述通孔暴露出的种子层。

作为本发明一实施方式的进一步改进，作数方法还包括步骤：