[发明专利]封装结构及其成型方法

权利要求书

1.一种封装结构，其特征在于，包括基板及重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块，至少所述金属凸块的周缘覆盖有种子层，且相邻金属凸块的种子层之间相互断开，所述种子层远离所述金属凸块的一侧设有介电层，所述介电层的轮廓与所述种子层的轮廓相互匹配，且相邻金属凸块之间的介电层相互断开，相邻金属凸块之间的所述介电层的周缘与所述种子层的周缘齐平。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述种子层包括相连的第一种子层、第二种子层及第三种子层，所述第一种子层位于所述金属凸块的周缘，所述第二种子层位于所述金属凸块远离所述基板的一侧表面，所述第三种子层位于所述基板上，且相邻的所述第三种子层之间相互断开。

3.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述第二种子层完全覆盖所述金属凸块远离所述基板的一侧表面。

4.根据权利要求2所述的封装结构，其特征在于，所述介电层覆盖所述第一种子层、所述第二种子层及所述第三种子层。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述种子层为钛层，所述介电层为PI层。

6.一种封装结构的成型方法，其特征在于，包括步骤：

于晶圆基板上形成重布线层，所述重布线层包括间隔分布的多个金属凸块；

至少于所述金属凸块的周缘依次形成种子层及介电层；

断开相邻金属凸块的种子层之间的连接；

步骤：“断开相邻金属凸块的种子层之间的连接”具体包括：

通过曝光显影工艺于相邻金属凸块之间的介电层处形成通孔，所述通孔暴露出所述种子层，且所述通孔与所述金属凸块周缘的种子层之间具有介电层；

通过刻蚀工艺去除所述通孔暴露出的种子层。

7.根据权利要求6所述的成型方法，其特征在于，步骤“至少于所述金属凸块的周缘依次形成种子层及介电层”具体包括：

通过溅镀工艺于远离晶圆基板的一侧形成种子层，所述种子层包覆所述金属凸块及相邻金属凸块中间的区域；

通过旋涂工艺于所述种子层远离所述晶圆基板的一侧形成介电层。

8.根据权利要求6所述的成型方法，其特征在于，所述方法还包括步骤：

切割晶圆基板以形成相互独立的多个封装结构。