[发明专利]一种射频前端芯片结构

说明书

本申请公开了一种射频前端芯片结构，涉及半导体技术领域。其中，上述射频前端芯片结构包括：功放开关芯片、位于功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；屏蔽芯片的下表面与功放开关芯片的上表面电性连接；限幅低噪声放大器芯片的下表面与屏蔽芯片的上表面电性连接；功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片通过屏蔽芯片进行电性连接。本申请中射频前端芯片为垂直堆叠结构，且功放开关芯片与限幅低噪声放大器芯片之间通过屏蔽芯片进行信号屏蔽和隔离，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

技术领域

本申请属于半导体技术领域，尤其涉及一种射频前端芯片结构。

背景技术

射频前端结构是微波设备和系统中的重要器件，其广泛用于天线阵列最前端，天线阵列的收发信号都是通过此部件完成。射频前端部件同时集成功率放大器、开关和限幅低噪声放大器等功能，部件工作时，首先通过开关完成发射路和接收路的工作状态切换；发射路工作时，需要功率放大器将小信号放大到大功率完成发射；接收路工作时，需要低噪声放大器对输入的小信号进行低噪声放大，同时低噪声放大器之前需要限幅器对输入的大信号进行衰减和功率控制，从而保护接收系统不被大功率输入信号烧毁。

近年来，微系统应用频率不断提高，对应天线阵列的面积会越来越小。射频前端结构作为天线阵列最重要的部件，面临着高集成化、小型化需求。传统射频前端结构通常采用混合集成电路和单片微波集成电路(即MMIC)芯片方式，把功率放大器、开关和限幅低噪声放大电路分立设计，然后平面互联。这种结构存在尺寸大、电路布局受限、性能一致性差等问题，对于进一步小型化和高集成化缺少更进一步的有效措施。

发明内容

本申请的目的在于提供一种射频前端芯片结构，有利于缩小射频前端结构的尺寸。

为了解决上述技术问题，本申请提供一种射频前端芯片结构，包括：

功放开关芯片、位于上述功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于上述屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；

上述屏蔽芯片的下表面与上述功放开关芯片的上表面电性连接；

上述限幅低噪声放大器芯片的下表面与上述屏蔽芯片的上表面电性连接；

上述功放开关芯片与上述限幅低噪声放大器芯片通过上述屏蔽芯片进行电性连接。

可选的，上述限幅低噪声放大器芯片的上表面设置有限幅低噪声放大输入焊盘、限幅低噪声放大输出焊盘以及第一电源焊盘。

可选的，上述功放开关芯片的上表面设置有第一射频焊盘、第二射频焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、发射焊盘、接收焊盘、接收电路输入焊盘以及接收电路输出焊盘。

可选的，上述屏蔽芯片的下表面设置有与上述第一射频焊盘、上述第二射频焊盘、上述栅极焊盘、上述漏极焊盘、上述发射焊盘、上述接收焊盘、上述接收电路输入焊盘以及上述接收电路输出焊盘分别对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘、第七焊盘以及第八焊盘；

上述屏蔽芯片的上表面设置有与上述第一焊盘、上述第二焊盘、上述第三焊盘、上述第四焊盘、上述第五焊盘、上述第六焊盘、上述第七焊盘以及上述第八焊盘分别对应的第九焊盘、第十焊盘、第十一焊盘、第十二焊盘、第十三焊盘、第十四焊盘、第十五焊盘以及第十六焊盘；

上述第一焊盘、上述第二焊盘、上述第三焊盘、上述第四焊盘、上述第五焊盘、上述第六焊盘、上述第七焊盘以及上述第八焊盘分别通过第一通孔与上述第九焊盘、上述第十焊盘、上述第十一焊盘、上述第十二焊盘、上述第十三焊盘、上述第十四焊盘、上述第十五焊盘以及上述第十六焊盘对应电性连接；