[发明专利]一种射频前端芯片结构

权利要求书

1.一种射频前端芯片结构，其特征在于，所述射频前端芯片结构 包括：功放开关芯片、位于所述功放开关芯片上表面的屏蔽芯片，以及位于所述屏蔽芯片上表面的限幅低噪声放大器芯片；

所述屏蔽芯片的下表面与所述功放开关芯片的上表面电性连接；

所述限幅低噪声放大器芯片的下表面与所述屏蔽芯片的上表面电性连接；

所述功放开关芯片与所述限幅低噪声放大器芯片通过所述屏蔽芯片进行电性连接。

2.如权利要求1所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大器芯片的上表面设置有限幅低噪声放大输入焊盘、限幅低噪声放大输出焊盘以及第一电源焊盘。

3.如权利要求2所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片的上表面设置有第一射频焊盘、第二射频焊盘、栅极焊盘、漏极焊盘、发射焊盘、接收焊盘、接收电路输入焊盘以及接收电路输出焊盘。

4.如权利要求3所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述屏蔽芯片的下表面设置有与所述第一射频焊盘、所述第二射频焊盘、所述栅极焊盘、所述漏极焊盘、所述发射焊盘、所述接收焊盘、所述接收电路输入焊盘以及所述接收电路输出焊盘分别对应的第一焊盘、第二焊盘、第三焊盘、第四焊盘、第五焊盘、第六焊盘、第七焊盘以及第八焊盘；

所述屏蔽芯片的上表面设置有与所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘分别对应的第九焊盘、第十焊盘、第十一焊盘、第十二焊盘、第十三焊盘、第十四焊盘、第十五焊盘以及第十六焊盘；

所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘分别通过第一通孔与所述第九焊盘、所述第十焊盘、所述第十一焊盘、所述第十二焊盘、所述第十三焊盘、所述第十四焊盘、所述第十五焊盘以及所述第十六焊盘对应电性连接；

所述第一射频焊盘、所述第二射频焊盘、所述栅极焊盘、所述漏极焊盘、所述发射焊盘、所述接收焊盘、所述接收电路输入焊盘以及所述接收电路输出焊盘分别通过倒装焊接工艺与所述第一焊盘、所述第二焊盘、所述第三焊盘、所述第四焊盘、所述第五焊盘、所述第六焊盘、所述第七焊盘以及所述第八焊盘进行电性连接。

5.如权利要求4所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大输入焊盘与所述第十六焊盘通过引线键合进行电性连接；所述限幅低噪声放大输出焊盘与所述第十五焊盘通过引线键合进行电性连接。

6.如权利要求5所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片的上表面还设置有第一金属焊盘，所述功放开关芯片的下表面设置有第一接地金属层，所述第一金属焊盘与所述第一接地金属层通过第二通孔电性连接。

7.如权利要求6所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述屏蔽芯片的下表面还设置有与所述第一金属焊盘对应的第二金属焊盘，所述屏蔽芯片的上表面还设置有第二接地金属层，所述第二金属焊盘与所述第二接地金属层通过所述第一通孔电性连接；

所述第一金属焊盘与所述第二金属焊盘通过所述倒装焊接工艺进行电性连接。

8.如权利要求7所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述限幅低噪声放大器芯片的上表面还设置有第三接地金属层，所述限幅低噪声放大器芯片的下表面设置有第四接地金属层，所述第三接地金属层与所述第四接地金属层通过第三通孔电性连接。

9.如权利要求8所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述第二接地金属层与所述第四接地金属层通过导电胶粘结。

10.如权利要求9所述的射频前端芯片结构，其特征在于，所述功放开关芯片为GaN芯片；所述屏蔽芯片为GaN芯片；所述限幅低噪声放大器芯片为GaAs芯片。