[发明专利]一种双阻带滤波器及其制作方法

说明书

本发明公开了一种双阻带滤波器及其制作方法。其中，双阻带滤波器包括至少一个硅腔谐振单元，硅腔谐振单元包括依次设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层，每个硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔，通孔贯穿底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层，通孔的内侧表面形成有金属沉积层，双阻带滤波器还包括至少一个槽线式双阻带谐振器，槽线式双阻带谐振器包括形成在顶层金属层的第一槽线和第二槽线，第一槽线和第二槽线贯穿顶层金属层，且第二槽线的一端与第一槽线的中点连通。本发明提供的双阻带滤波器及其制作方法，解决了现有双阻带滤波器体积较大，带外抑制度差不易实现多芯片集成的问题。

技术领域

本发明实施例涉及滤波电路技术领域，尤其涉及一种双阻带滤波器及其制作方法。

背景技术

在射频、微波系统中起着选频滤波的重要作用，具体的，滤波器可使某段频率的电信号通过，而对其他频率进行阻拦。滤波器的主要性能指标有插损、带宽、带外选择性以及电路尺寸等，提高带外抑制度以及电路小型化一直是滤波器的关键设计难点。

传统的滤波器包括腔体滤波器、LC滤波器和平面滤波器，腔体滤波器由金属整体切割形成，LC滤波器由电感、电容和电阻的组合设计构成，平面滤波器由传输线和PCB板制成，均存在体积大、不易与多芯片互连集成等问题，影响了滤波器在小型化芯片化滤波器方面的发展。

发明内容

本发明提供一种双阻带滤波器及其制作方法，以解决现有滤波器体积较大，带外抑制度差不易实现多芯片集成的问题。

第一方面，本发明实施例提供了一种双阻带滤波器，包括：

至少一个硅腔谐振单元，所述硅腔谐振单元包括依次设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；每个所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔；所述通孔贯穿所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层；所述通孔的内侧表面形成有金属沉积层；

还包括至少一个槽线式双阻带谐振器，所述槽线式双阻带谐振器包括形成在所述顶层金属层的第一槽线和第二槽线；所述第一槽线和所述第二槽线贯穿所述顶层金属层，且所述第二槽线的一端与所述第一槽线的中点连通。

可选的，所述双阻带滤波器包括多个所述硅腔谐振单元；多个所述硅腔谐振单元呈矩阵排列；同一行相邻两个所述硅腔谐振单元共用一所述槽线式双阻带谐振器。

可选的，所述双阻带滤波器包括N列所述硅腔谐振单元，其中，N≥3且N为奇数；

同一行第2i-1个槽线式双阻带谐振器和第2i个槽线式双阻带谐振器轴对称设置，其中，对称轴为所述第2i-1个槽线式双阻带谐振器的中心和所述第2i个槽线式双阻带谐振器的中心连线的中垂线，其中，i为整数且1≤i≤(N-1)/2。

可选的，所述双阻带滤波器包括M列所述硅腔谐振单元，其中，M≥2且M为偶数；

所述槽线式双阻带谐振器为轴对称结构。

可选的，所述双阻带滤波器还包括：输入馈线槽、输出馈线槽、第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽；所述输入馈线槽以及所述第一缺陷耦合槽形成于任一行硅腔谐振单元的首位硅腔谐振单元的顶层金属层；所述输出馈线槽以及第二缺陷耦合槽形成于任一行硅腔谐振单元的末位硅腔谐振单元的顶层金属层；

所述输入馈线槽与所述第一缺陷耦合槽连通，用于将待滤波信号输入所述双阻带滤波器；

所述输出馈线槽与所述第二缺陷耦合槽连通，用于输出所述待滤波信号滤波形成的滤波信号；

所述输入馈线槽、所述第一缺陷耦合槽、所述输出馈线槽和所述第二缺陷耦合槽深度与所述顶层金属层的厚度相等。

可选的，所述第一槽线为U型槽线，所述第二槽线为直线型槽线、弧线型槽线和波浪型槽线中的任意一种。

可选的，所述双阻带滤波器包括一个硅腔谐振单元；