[发明专利]一种双阻带滤波器及其制作方法

权利要求书

1.一种双阻带滤波器，其特征在于，包括：

至少一个硅腔谐振单元，所述硅腔谐振单元包括依次设置的底层金属层、高阻硅介质层和顶层金属层；每个所述硅腔谐振单元的边缘设置有多个通孔；所述通孔贯穿所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层；所述通孔的内侧表面形成有金属沉积层；

还包括至少一个槽线式双阻带谐振器，所述槽线式双阻带谐振器包括形成在所述顶层金属层的第一槽线和第二槽线；所述第一槽线和所述第二槽线贯穿所述顶层金属层，且所述第二槽线的一端与所述第一槽线的中点连通。

2.根据权利要求1所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述双阻带滤波器包括多个所述硅腔谐振单元；多个所述硅腔谐振单元呈矩阵排列；同一行相邻两个所述硅腔谐振单元共用一所述槽线式双阻带谐振器。

3.根据权利要求2所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述双阻带滤波器包括N列所述硅腔谐振单元，其中，N≥3且N为奇数；

同一行第2i-1个槽线式双阻带谐振器和第2i个槽线式双阻带谐振器轴对称设置，其中，对称轴为所述第2i-1个槽线式双阻带谐振器的中心和所述第2i个槽线式双阻带谐振器的中心连线的中垂线，其中，i为整数且1≤i≤(N-1)/2。

4.根据权利要求2所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述双阻带滤波器包括M列所述硅腔谐振单元，其中，M≥2且M为偶数；

所述槽线式双阻带谐振器为轴对称结构。

5.根据权利要求2所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述双阻带滤波器还包括：输入馈线槽、输出馈线槽、第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽；所述输入馈线槽以及所述第一缺陷耦合槽形成于任一行硅腔谐振单元的首位硅腔谐振单元的顶层金属层；所述输出馈线槽以及第二缺陷耦合槽形成于任一行硅腔谐振单元的末位硅腔谐振单元的顶层金属层；

所述输入馈线槽与所述第一缺陷耦合槽连通，用于将待滤波信号输入所述双阻带滤波器；

所述输出馈线槽与所述第二缺陷耦合槽连通，用于输出所述待滤波信号滤波形成的滤波信号；

所述输入馈线槽、所述第一缺陷耦合槽、所述输出馈线槽和所述第二缺陷耦合槽深度与所述顶层金属层的厚度相等。

6.根据权利要求1所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述第一槽线为U型槽线，所述第二槽线为直线型槽线、弧线型槽线和波浪型槽线中的任意一种。

7.根据权利要求1所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述双阻带滤波器包括一个硅腔谐振单元；

所述双阻带滤波器还包括：形成于所述硅腔谐振单元的顶层金属层的输入馈线槽、输出馈线槽、第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽；

所述输入馈线槽与所述第一缺陷耦合槽连通，用于将待滤波信号输入所述双阻带滤波器；所述输出馈线槽与所述第二缺陷耦合槽连通，用于输出所述待滤波信号滤波形成的滤波信号；

所述输入馈线槽、输出馈线槽、第一缺陷耦合槽和第二缺陷耦合槽的深度与所述顶层金属层的厚度相等。

8.根据权利要求1所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述底层金属层的厚度为D1，所述顶层金属层的厚度为D2，所述高阻硅介质层的厚度为D3，其中，D1≤10um，D2≤10um，200um≤D3≤500um。

9.根据权利要求1所述的双阻带滤波器，其特征在于，所述高阻硅介质层的电阻率为R1，其中，R1≥3000Ω/cm。

10.一种双阻带滤波器的制作方法，其特征在于，适用于上述权利要求1-9中任一项所述的双阻带滤波器，包括：

在高阻硅介质层的下上两侧分别形成底层金属层和顶层金属层，所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层形成叠层结构；

所述叠层结构包括至少一个硅腔谐振单元；在每个所述硅腔谐振单元的边缘形成多个通孔；所述通孔贯穿所述底层金属层、所述高阻硅介质层和所述顶层金属层；

在所述通孔的内侧表面形成金属沉积层；

在顶层金属层形成至少一个槽线式双阻带模式谐振器，每个槽线式双阻带谐振器包括第一槽线和第二槽线；所述第一槽线和所述第二槽线的深度与所述顶层金属层的厚度相等，且所述第二槽线的一端与所述第二槽线的中点连通。