[发明专利]微型发光元件显示装置有效
申请号: | 201911393715.7 | 申请日: | 2019-12-30 |
公开(公告)号: | CN110957342B | 公开(公告)日: | 2023-08-29 |
发明(设计)人: | 吴志凌;陈彦烨;苏义闵;史诒君 | 申请(专利权)人: | 錼创显示科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L25/075 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 罗英;刘芳 |
地址: | 中国台湾新竹科学园*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 微型 发光 元件 显示装置 | ||
本发明提供一种包括基板、多个微型发光元件、隔离层以及空气间隙的微型发光元件显示装置被提出。多个微型发光元件分散地设置于基板上。隔离层设置于这些微型发光元件之间。空气间隙设置于这些微型发光元件、隔离层与基板之间。
技术领域
本发明涉及一种显示装置,尤其涉及一种微型发光元件显示装置。
背景技术
近年来,在有机发光二极管(Organic light-emitting diode,OLED)显示面板的制造成本偏高及其使用寿命无法与现行的主流显示器相抗衡的情况下,微型发光二极管显示器(Micro LED Display)逐渐吸引各科技大厂的投资目光。特别是,微型发光二极管显示器除了具有与有机发光二极管显示器相当的光学表现,例如高色彩饱和度、应答速度快及高对比,还具有低耗能以及材料使用寿命长的优势。因此,有望成为下一世代的主流显示技术。
然而,以目前的制造技术而言,微型发光二极管显示器的制造良率仍有待提升。主因在于微型发光二极管显示器的制造过程包含晶粒转置的步骤,例如将暂存基板上预先制作完成的微型发光二极管晶粒转移至显示器的电路背板上。由于发光二极管在微型化的同时,两电极接垫之间的距离也势必缩短。当微型发光二极管被转移并接合至电路背板上的连接垫时,连接垫(例如导电焊材)需被加热而呈现熔融状态。此时,微型发光二极管的两电极接垫容易因连接垫的溢流而发生短路,造成转移良率的下降。为了降低微型发光二极管显示器的制造成本,解决上述的问题已成为相关厂商的当务之急。
发明内容
本发明提供一种微型发光元件显示装置,具有较佳的转移成功率。
本发明的微型发光元件显示装置,包括基板、多个微型发光元件、隔离层以及空气间隙。多个微型发光元件分散地设置于基板上。隔离层设置于这些微型发光元件之间。空气间隙设置于这些微型发光元件、隔离层与基板之间。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的微型发光元件在第一方向上具有第一宽度。空气间隙位于相邻的两个微型发光元件之间的所占区域在第一方向上具有第二宽度,且第二宽度小于第一宽度。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的第二宽度与第一宽度的比值大于等于0.5。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的隔离层连接微型发光元件的部分在基板的法线方向上具有第一高度。微型发光元件在基板的法线方向上具有第二高度,且第一高度小于第二高度。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的第一高度与第二高度的比值大于等于0.5。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的隔离层位于相邻的两个微型发光元件之间的部分的横截面面积小于微型发光元件的横截面面积。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的隔离层位于相邻的两个微型发光元件之间的部分的横截面面积与微型发光元件的横截面面积的比值小于1且大于等于0.5。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置还包括共电极。共电极覆盖隔离层且电性连接多个微型发光元件。共电极与空气间隙分别位于隔离层的相对两侧。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的微型发光元件具有磊晶结构以及设置于磊晶结构相对两侧的第一型电极与第二型电极。共电极包括第一型共电极层与第二型共电极层。第一型共电极层覆盖隔离层与多个微型发光元件,且直接接触各微型发光元件的第一型电极。第二型共电极层设置于这些微型发光元件之间,且位于第一型共电极层与隔离层之间。第二型共电极电性连接这些微型发光元件与第一型共电极层。
在本发明的一实施例中,上述的微型发光元件显示装置的第二型共电极层连接第一型共电极层的表面与基板之间具有第一高度。第一型电极连接第一型共电极层的表面与基板之间具有第二高度,且第一高度大于第二高度。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于錼创显示科技股份有限公司,未经錼创显示科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201911393715.7/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种纳米纤维纺织装置
- 下一篇:草本花卉的RNA原位杂交方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的