[发明专利]发光二极管晶圆以及发光二极管晶圆检测装置与方法在审

专利信息
申请号: 201911392345.5 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN112798923A 公开(公告)日: 2021-05-14
发明(设计)人: 廖建硕;张德富;卢俊安 申请(专利权)人: 台湾爱司帝科技股份有限公司
主分类号: G01R31/28 分类号: G01R31/28;G01R31/26
代理公司: 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 代理人: 李子光
地址: 中国*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 发光二极管 以及 检测 装置 方法
【权利要求书】:

1.一种发光二极管晶圆检测装置,其特征在于,所述发光二极管晶圆检测装置包括:

一发光二极管晶圆,所述发光二极管晶圆包括一晶圆基底、多个发光二极管芯片、多个测试用正极线路层、多个测试用负极线路层、多个测试用正极接点以及多个测试用负极接点;以及

一光检测模块,所述光检测模块设置在所述发光二极管晶圆的上方;

其中,多个所述发光二极管芯片、多个所述测试用正极线路层、多个所述测试用负极线路层、多个所述测试用正极接点以及多个所述测试用负极接点都设置在所述晶圆基底上;

其中,每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层;

其中,多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层,多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层;

其中,让电流由多个所述测试用正极接点输入后,再从多个所述测试用负极接点输出,以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源,并利用所述光检测模块对每一所述发光二极管芯片所产生的所述光源进行光学检测。

2.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置,其特征在于,多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点,多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。

3.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置,其特征在于,多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域,多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。

4.根据权利要求1所述的发光二极管晶圆检测装置,其特征在于,所述测试用正极线路层与所述测试用负极线路层分别设置在一第一水平面以及一第二水平面上,所述测试用正极接点与所述测试用负极接点分别设置在所述第一水平面与所述第二水平面上,且所述第一水平面高于、低于或者等于所述第二水平面;其中,所述测试用正极线路层包括多个第一正极末端部、一第二正极末端部以及连接于所述第一正极末端部与所述第二正极末端部之间的一正极连接部,所述第一正极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述正极接点,所述第二正极末端部电性连接于相对应的所述测试用正极接点,且所述正极连接部沿着一第一切割路径延伸;其中,所述测试用负极线路层包括多个第一负极末端部、一第二负极末端部以及连接于所述第一负极末端部与所述第二负极末端部之间的一负极连接部,所述第一负极末端部电性连接于相对应的所述发光二极管芯片的所述负极接点,所述第二负极末端部电性连接于相对应的所述测试用负极接点,且所述负极连接部沿着一第二切割路径延伸。

5.一种发光二极管晶圆,其特征在于,所述发光二极管晶圆包括:

一晶圆基底;

多个发光二极管芯片,其设置在所述晶圆基底上;

多个测试用正极线路层,其设置在所述晶圆基底上;

多个测试用负极线路层,其设置在所述晶圆基底上;

多个测试用正极接点,其设置在所述晶圆基底上;以及

多个测试用负极接点,其设置在所述晶圆基底上;

其中,每一所述发光二极管芯片的一正极接点与一负极接点分别电性连接于相对应的所述测试用正极线路层与相对应的所述测试用负极线路层;

其中,多个所述测试用正极接点分别电性连接于多个所述测试用正极线路层,多个所述测试用负极接点分别电性连接于多个所述测试用负极线路层;

其中,让电流由多个所述测试用正极接点输入后,再从多个所述测试用负极接点输出,以便于激发每一所述发光二极管芯片产生一光源。

6.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆,其特征在于,多个所述测试用正极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个正极测试接点,多个所述测试用负极接点彼此分离而形成彼此相邻设置的多个单一个负极测试接点。

7.根据权利要求5所述的发光二极管晶圆,其特征在于,多个所述测试用正极接点彼此相连而形成一单一个正极测试区域,多个所述测试用负极接点彼此相连而形成一单一个负极测试区域。

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