[发明专利]等离子体管芯切割系统以及相关方法

说明书

本发明题为“等离子体管芯切割系统以及相关方法”。切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到该衬底的管芯道中的金属层，暴露该管芯道中的该衬底的衬底材料，其中该管芯道中的该衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻该管芯道中的该衬底的该暴露的衬底材料来切割包括在该衬底中的多个管芯。

技术领域

本文档的各方面整体涉及等离子体管芯切割系统和方法。更具体的实施方式涉及从衬底切割(singulate)半导体管芯的方法。

背景技术

半导体器件包括存在于常见的电气设备和电子设备(诸如电话、台式计算机、平板电脑、其他计算设备和其他电子设备)中的集成电路。通过将半导体材料晶圆单颗化成多个半导体管芯来分离器件。一般用锯子进行对晶圆的切割。在切割时，可将管芯安装在封装上并与封装电集成，然后可将其用于电气设备或电子设备中。

发明内容

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到衬底的管芯道中的金属层，暴露管芯道中的衬底的衬底材料，其中管芯道中的衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻管芯道中的衬底的暴露的衬底材料来切割包括在衬底中的多个管芯。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

衬底厚度可小于50微米。

衬底厚度可小于30微米。

去除管芯道中的金属层还可包括通过锯切、激光作用、划线或射流烧蚀中的一种来去除。

管芯道中的衬底材料的部分和金属层可被同时去除。去除的衬底材料的部分可在衬底中延伸5微米至15微米。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法可包括通过等离子体蚀刻从管芯道的侧壁去除损伤。

暴露衬底还可包括去除耦接在金属层上方的钝化层。

通过等离子体蚀刻切割包括在衬底中的多个管芯还可包括去除衬底的衬底材料中宽度小于管芯道的宽度的一部分。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到衬底的管芯道中的钝化层，暴露管芯道中的衬底的衬底材料，其中管芯道中的衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻管芯道中的衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在衬底中的多个管芯。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

去除管芯道中的钝化层还可包括通过锯切、激光作用、划线或射流烧蚀中的一种来去除。

管芯道中的衬底材料的部分和钝化层可被同时去除。去除的衬底材料的部分可在衬底中延伸5微米至15微米。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法可包括通过等离子体蚀刻从管芯道的侧壁去除损伤。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可包括：通过去除耦接到衬底的管芯道中的钝化层和金属层，暴露管芯道中的衬底的衬底材料，其中管芯道中的衬底材料的仅一部分被去除；以及通过等离子体蚀刻管芯道中的衬底的暴露的衬底材料来切割包括在衬底中的多个管芯。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法的实施方式可以包括以下各项中的一者、全部或任一者：

去除管芯道中的钝化层和金属层还可包括通过锯切、激光作用、划线或射流烧蚀中的一种来去除。

通过等离子体蚀刻切割包括在衬底中的多个管芯还可包括去除衬底的衬底材料中宽度小于管芯道的宽度的一部分。

切割包括在衬底中的多个管芯的方法可包括通过等离子体蚀刻从管芯道的侧壁去除损伤。