[发明专利]等离子体管芯切割系统以及相关方法

权利要求书

1.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：

通过去除耦接到衬底的管芯道中的金属层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及

通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述衬底是厚度小于30微米或厚度小于50微米中的一种。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分和所述金属层被基本上同时去除，并且其中去除的所述衬底材料的所述部分延伸到所述衬底中5微米至15微米。

4.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：

通过去除耦接到衬底的管芯道中的钝化层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及

通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。

5.根据权利要求4所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分、所述钝化层和所述金属层被基本上同时去除，并且其中去除的所述衬底材料的所述部分延伸到所述衬底中5微米至15微米。

6.一种切割包括在衬底中的多个管芯的方法，所述方法包括：

通过去除耦接到衬底的管芯道中的钝化层和金属层，暴露所述管芯道中的所述衬底的衬底材料，其中所述管芯道中的所述衬底材料的仅一部分被去除；以及

通过等离子体蚀刻所述管芯道中的所述衬底的所述暴露的衬底材料来切割包括在所述衬底中的多个管芯。

7.根据权利要求6所述的方法，其中通过等离子体蚀刻切割包括在所述衬底中的所述多个管芯还包括：去除所述衬底的所述衬底材料中的一部分，该部分的宽度小于所述管芯道的宽度。

8.根据权利要求6所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分、所述钝化层和所述金属层被基本上同时去除，并且其中去除的所述衬底材料的所述部分延伸到所述衬底中5微米至15微米。

9.根据权利要求6所述的方法，其中所述管芯道中的所述衬底材料的所述部分、所述钝化层和所述金属层被同时去除，并且其中去除的所述衬底材料的所述部分延伸到所述衬底中多于15微米。

10.根据权利要求6所述的方法，其中所述衬底是厚度小于30微米或厚度小于50微米中的一种。