[发明专利]一种多晶元叠封存储器及其输出同步方法有效

专利信息
申请号: 201911389198.6 申请日: 2019-12-30
公开(公告)号: CN111210855B 公开(公告)日: 2020-09-15
发明(设计)人: 温靖康 申请(专利权)人: 深圳市芯天下技术有限公司
主分类号: G11C5/02 分类号: G11C5/02
代理公司: 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 代理人: 郭伟刚
地址: 518000 广东省深圳市*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 多晶 元叠封 存储器 及其 输出 同步 方法
【权利要求书】:

1.一种多晶元叠封存储器,其特征在于,包括多颗芯片(100),多颗芯片(100)叠封在一起,形成叠封结构;多颗芯片(100)共用CS#引脚,CS#引脚用于启动或关断叠封结构;多颗芯片(100)还共用IO引脚,IO引脚用于供叠封结构输出忙碌状态信号或者空闲状态信号;每个芯片(100)均具有SYNC_PAD引脚;

多颗芯片(100)的SYNC_PAD引脚电性连接在一起,SYNC_PAD引脚用于判断多颗芯片(100)是否均处于空闲状态,若是,则控制叠封结构通过IO引脚输出空闲状态信号;若否,则控制叠封结构通过IO引脚输出忙碌状态信号;

每个芯片(100)均包括晶体管(NM1),晶体管(NM1)的源极接地;晶体管(NM1)的漏极与所述芯片(100)的SYNC_PAD引脚电性连接;晶体管(NM1)的漏极还分别连接有上拉电阻电路(110)和IO引脚;芯片(100)的晶体管(NM1)的栅极,用于获取表征该芯片(100)工作状态并根据芯片(100)工作状态导通或关断芯片(100)的开关信号;芯片(100)工作状态包括空闲状态或忙碌状态。

2.根据权利要求1所述的多晶元叠封存储器,其特征在于,上拉电阻电路(110)包括上拉电阻(Res_pullup)和电源端;芯片(100)的晶体管(NM1)的漏极经上拉电阻(Res_pullup)与电源端连接。

3.一种多晶元叠封存储器的输出同步方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤S1、提供一种多晶元叠封存储器,该多晶元叠封存储器包括多颗芯片(100),多颗芯片(100)叠封在一起,形成叠封结构;多颗芯片(100)共用CS#引脚,CS#引脚用于启动或关断叠封结构;多颗芯片(100)还共用IO引脚,IO引脚用于供叠封结构输出忙碌状态信号或者空闲状态信号;每个芯片(100)均具有SYNC_PAD引脚;

步骤S2、将多颗芯片(100)的SYNC_PAD引脚电性连接在一起,SYNC_PAD引脚用于判断多颗芯片(100)是否均处于空闲状态,若是,则控制叠封结构通过IO引脚输出空闲状态信号;若否,则控制叠封结构通过IO引脚输出忙碌状态信号;

在步骤S1中,每个芯片(100)均包括晶体管(NM1),晶体管(NM1)的源极接地;晶体管(NM1)的漏极与所述芯片(100)的SYNC_PAD引脚电性连接;晶体管(NM1)的漏极还分别连接有上拉电阻电路(110)和IO引脚;芯片(100)的晶体管(NM1)的栅极,用于获取表征该芯片(100)工作状态并根据芯片(100)工作状态导通或关断芯片(100)的开关信号;芯片(100)工作状态包括空闲状态或忙碌状态。

4.根据权利要求3所述的输出同步方法,其特征在于,上拉电阻电路(110)包括上拉电阻(Res_pullup)和电源端;芯片(100)的晶体管(NM1)的漏极经上拉电阻(Res_pullup)与电源端连接。

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