[发明专利]衬底对准系统和相关方法

说明书

本发明题为“衬底对准系统和相关方法”。一种在晶圆上制作多个对准标记的方法的实施方式可包括：提供一种在晶圆的第一侧上包括对准特征结构的晶圆。该方法可包括使用聚焦在晶圆的第一侧上的相机对准晶圆。该晶圆可使用管芯的第一侧上的对准特征结构进行对准。晶圆还可包括通过激光切割、锯切或划片在晶圆的第二侧上制作多个对准标记。

相关专利申请的交叉引用

本申请要求授予Seddon等人的名称为“SUBSTRATE ALIGNMENT SYSTEMS ANDRELATED METHODS”(衬底对准系统和相关方法)的美国临时专利申请62/796,675的提交日期的权益，该申请提交于2019年1月25日，该申请的公开内容据此全文以引用方式并入本文。

技术领域

本文档的各方面整体涉及用于切单衬底的系统和方法。更具体的实施方式涉及半导体衬底。

背景技术

半导体衬底用于形成各种半导体器件。半导体器件通常分布在多个管芯中的半导体衬底的平坦表面上。使用切单工艺(比如锯切)将多个管芯彼此分开。

发明内容

一种在晶圆上制作多个对准标记的方法的实施方式可包括：提供一种在晶圆的第一侧上包括对准特征结构的晶圆。该方法可包括使用聚焦在该晶圆的该第一侧上的相机对准该晶圆。该晶圆可使用管芯的第一侧上的对准特征结构进行对准。该晶圆还可包括通过激光切割、锯切或划片在该晶圆的第二侧上制作多个对准标记。

该方法的实施可包括以下各项中的一种、全部或任何一种：

对准标记可在包括在该晶圆的第二侧上的金属层中制作。

在制作对准标记之前，该金属层可包括10微米的厚度。

在开槽之后，该金属层的对准标记处可包括1微米的厚度。

划片还可包括使用划片工具或铁笔。

该方法还可包括使用激光切割、锯切或划片中的一种在耦接到晶圆的第二侧的金属层的厚度中形成凹槽，并且使用激光切割或锯切中的一种切单晶圆。

开槽可包括使用激光器，切单可包括使用激光器。

开槽可包括使用激光器，切单可包括使用锯。

相机可为红外相机或可见光相机中的一种。

一种在晶圆上制作多个对准标记的方法的实施方式可包括：提供一种具有对准特征结构的晶圆。该对准特征结构可在位于该晶圆的第一侧上的多个有效区域之间的晶圆的第一侧的管芯划道中。金属层可被包括在该晶圆的第二侧上。该金属层可具有第一厚度。该方法可包括使用相机和多个对准特征结构对准晶圆，并且通过激光切割、锯切或划片中的一种在该晶圆的第二侧上制作多个对准标记。该方法还可包括将该金属层的第一厚度减薄至对准标记中的第二厚度。

该方法的实施可包括以下各项中的一种、全部或任何一种：

用激光器、锯或切割工具中的一种将该晶圆切单成多个管芯。

该金属层可包含铜。

划片可包括使用划片工具或铁笔。

在制作对准标记之前，第一厚度可为10微米。

在减薄之后，第二厚度在对准标记中可为1微米。

相机可为红外相机或可见光相机。