[发明专利]一种存储系统掉电保护方法、装置及相关组件

说明书

本申请公开了一种存储系统掉电保护方法，应用于装配有非易失DIMM的CPU，包括：通过非易失DIMM构造掉电保护区；获取BBU的动态保护能力；根据目标数据和动态保护能力确定待保护DRAM；当存储系统掉电，通过BBU为存储系统供电，并将待保护DRAM中的数据写入掉电保护区。当存储系统掉电时，本申请通过BBU为存储系统供电，将待保护DRAM中的数据存储到掉电保护区，既可以保证存储系统中的重要数据不丢失，同时在满足BBU的保护能力下尽可能多的保护存储系统中的其他数据不丢失，提高掉电保护的效率及可靠性，相较于现有技术成本低。本申请还公开了一种存储系统掉电保护装置及电子设备，具有以上有益效果。

技术领域

本申请涉及存储系统领域，特别涉及一种存储系统掉电保护方法、装置及相关组件。

背景技术

企业级的存储系统通常需要存储非常重要的数据，因此需要有极高的可靠性。当存储系统掉电时，存储系统必须要保证系统内存中的重要数据不丢失。常用的掉电保护方案包括以下两种，一是通过UPS(Uninterrupted Power Supply，不间断电源)作为备用电源向存储系统提供掉电保护，但是存储系统无法感知UPS的具体状态，例如是否存在UPS，UPS是否开始供电，UPS能提供多长时间的电源等，导致掉电保护的可靠性比较低；二是通过NVDIMM向存储系统提供掉电保护，在其DIMM(Dual Inline Memory Modules，双列直插式存储模块)条中设置相同容量的flash芯片和DRAM(Dynamic Random Access Memo，动态随机存取存储器)芯片以及一个大电容，当系统掉电后，NVDIMM(Non-Volatile Dual In-LineMemory Module，非易失性双列直插式内存模块)利用大电容存储的电量，将DRAM上的数据写入flash芯片中，由于集成了电容、flash芯片等硬件配置，NVDIMM价格昂贵，难以在存储系统中大量采用。

因此，如何提供一种解决上述技术问题的方案是本领域技术人员目前需要解决的问题。

发明内容

本申请的目的是提供一种存储系统掉电保护方法、装置及电子设备，当存储系统掉电时，本申请通过BBU为存储系统供电，将待保护DRAM中的数据存储到掉电保护区，既可以保证存储系统中的重要数据不丢失，同时在满足BBU的保护能力下尽可能多的保护存储系统中的其他数据不丢失，提高掉电保护的效率及可靠性，相较于现有技术成本低。

为解决上述技术问题，本申请提供了一种存储系统掉电保护方法，应用于装配有非易失DIMM的CPU，该存储系统掉电保护方法包括：

通过所述非易失DIMM构造掉电保护区；

获取BBU的动态保护能力；

根据目标数据和所述动态保护能力确定待保护DRAM；

当存储系统掉电，通过所述BBU为所述存储系统供电，并将所述待保护DRAM中的数据写入所述掉电保护区。

优选的，所述非易失DIMM为DCPMM。

优选的，所述通过所述非易失DIMM构造掉电保护区之前，该存储系统掉电保护方法还包括：

配置所有所述DCPMM为交织模式。

优选的，所述通过所述非易失DIMM构造掉电保护区的过程具体为：

在所述DCPMM的app direct模式的region中构造掉电保护区。

优选的，所述获取BBU的动态保护能力之后，该存储系统掉电保护方法还包括：

根据所述动态保护能力确定所述待保护DRAM容量。

优选的，所述根据目标数据和所述动态保护能力确定待保护DRAM之后，该存储系统掉电保护方法还包括：

为所有所述待保护DRAM分配保护权标志；