[发明专利]一种存储系统掉电保护方法、装置及相关组件

权利要求书

1.一种存储系统掉电保护方法，其特征在于，应用于装配有非易失DIMM的CPU，该存储系统掉电保护方法包括：

通过所述非易失DIMM构造掉电保护区；

获取BBU的动态保护能力；

根据目标数据和所述动态保护能力确定待保护DRAM，其中，所述目标数据为掉电后不可丢失的数据，所述待保护DRAM包括存储有所述目标数据的DRAM；

当存储系统掉电，通过所述BBU为所述存储系统供电，并将所述待保护DRAM中的数据写入所述掉电保护区；

所述根据目标数据和所述动态保护能力确定待保护DRAM之后，该存储系统掉电保护方法还包括：

为所有所述待保护DRAM分配保护权标志；

相应的，所述将所述待保护DRAM中的数据写入所述掉电保护区的过程具体为：

遍历所述存储系统中的所有DRAM，获取带有所述保护权标志的DRAM；

将所述带有所述保护权标志的DRAM中的数据写入所述掉电保护区。

2.根据权利要求1所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述非易失DIMM为DCPMM。

3.根据权利要求2所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述通过所述非易失DIMM构造掉电保护区之前，该存储系统掉电保护方法还包括：

配置所有所述DCPMM为交织模式。

4.根据权利要求3所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述通过所述非易失DIMM构造掉电保护区的过程具体为：

在所述DCPMM的app direct模式的region中构造掉电保护区。

5.根据权利要求1所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述获取BBU的动态保护能力之后，该存储系统掉电保护方法还包括：

根据所述动态保护能力确定所述待保护DRAM容量。

6.根据权利要求1-5任意一项所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述获取BBU的动态保护能力的过程具体为：

获取BBU的当前电量；

根据当前电量计算动态保护能力。

7.根据权利要求6所述的存储系统掉电保护方法，其特征在于，所述根据当前电量计算动态保护能力之前，该存储系统掉电保护方法还包括：

对当前电量进行校正操作。

8.一种存储系统掉电保护装置，其特征在于，应用于装配有非易失DIMM的CPU，该存储系统掉电保护装置包括：

构造模块，用于通过所述非易失DIMM构造掉电保护区；

获取模块，用于获取BBU的动态保护能力；

分配模块，用于根据目标数据和所述动态保护能力确定待保护DRAM，其中，所述目标数据为掉电后不可丢失的数据，所述待保护DRAM包括存储有所述目标数据的DRAM；

掉电保护模块，用于当存储系统掉电，通过所述BBU为所述存储系统供电，并将所述待保护DRAM中的数据写入所述掉电保护区；

还包括：

分配模块，用于为所有所述待保护DRAM分配保护权标志；

所述掉电保护模块具体包括：

遍历单元，用于遍历所述存储系统中的所有DRAM，获取带有所述保护权标志的DRAM；

写入单元，用于将所述带有所述保护权标志的DRAM中的数据写入所述掉电保护区。

9.一种电子设备，其特征在于，包括：

存储器，用于存储计算机程序；

处理器，用于执行所述计算机程序时实现如权利要求1-7任意一项所述存储系统掉电保护方法的步骤。