[发明专利]复合绝缘子内部缺陷检测方法、装置、设备及存储介质

权利要求书

1.一种复合绝缘子内部缺陷检测方法，其特征在于，包括步骤：

获取复合绝缘子上多个预设位置点的一次温升值；

当多个所述预设位置点的一次温升值中至少有一个满足预设异常温升值时，对所述复合绝缘子施加满足预设时间的交流运行电压；

获取复合绝缘子上多个预设位置点的二次温升值；

根据多个所述预设位置点的二次温升值之间的关系确定所述复合绝缘子的发热位置；

获取所述复合绝缘子的发热位置的一次温升值；

去除所述复合绝缘子的发热位置的表层至满足预设深度；

对所述复合绝缘子施加满足预设时间的交流运行电压；

获取所述复合绝缘子的发热位置的二次温升值；

根据所述发热位置的二次温升值与所述发热位置的一次温升值之间的关系，输出检测结果。

2.根据权利要求1所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测方法，其特征在于，还包括；

当多个所述预设位置点的一次温升值中都没有满足预设异常温升值时，输出检测结果。

3.根据权利要求1所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测方法，其特征在于，所述根据所述发热位置的二次温升值与所述发热位置的一次温升值之间的关系，输出检测结果具体为：

当所述发热位置的二次温升值较于所述发热位置的一次温升值的下降差值满足预设差值时，输出复合绝缘子存在内部缺陷结果；

当所述发热位置的二次温升值较于所述发热位置的一次温升值的下降差值不满足预设差值时，输出复合绝缘子不存在内部缺陷结果。

4.根据权利要求1所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测方法，其特征在于，所述预设深度具体为0.01mm～0.5mm。

5.一种复合绝缘子内部缺陷检测装置，其特征在于，包括处理单元、表层去除单元、温升值获取单元以及交流电压施加单元；

所述温升值获取单元，分别用于获取复合绝缘子上多个预设位置点的一次温升值以及二次温升值，所述温升值获取单元，还分别用于获取所述复合绝缘子的发热位置的一次温升值以及二次温升值；

所述交流电压施加单元，用于分别对所述复合绝缘子施加满足预设时间的交流运行电压；

所述表层去除单元，用于去除所述复合绝缘子的发热位置的表层至满足预设深度；

所述处理单元，用于根据多个所述预设位置点的二次温升值之间的关系确定所述复合绝缘子的发热位置，所述处理单元还用于根据所述发热位置的二次温升值与所述发热位置的一次温升值之间的关系，输出检测结果。

6.根据权利要求5所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测装置，其特征在于，所述处理单元，还用于当多个所述预设位置点的一次温升值中都没有满足预设异常温升值时，输出检测结果。

7.根据权利要求5所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测装置，其特征在于，所述处理单元，还用于当所述发热位置的二次温升值较于所述发热位置的一次温升值的下降差值满足预设差值时，输出复合绝缘子存在内部缺陷结果；

所述处理单元，还用于当所述发热位置的二次温升值较于所述发热位置的一次温升值的下降差值不满足预设差值时，输出复合绝缘子不存在内部缺陷结果。

8.根据权利要求5所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测装置，其特征在于，所述预设深度具体为0.01mm～0.5mm。

9.一种复合绝缘子内部缺陷检测设备，其特征在于，所述设备包括处理器以及存储器：

所述存储器用于存储程序代码，并将所述程序代码传输给所述处理器；

所述处理器用于根据所述程序代码中的指令执行权利要求1-4任一项所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测方法。

10.一种计算机可读存储介质，其特征在于，所述计算机可读存储介质用于存储程序代码，所述程序代码用于执行权利要求1-4任一项所述的一种复合绝缘子内部缺陷检测方法。