[发明专利]半导体芯片裸片及其制造方法

说明书

本申请提供一种半导体芯片裸片及其制造方法，该半导体芯片裸片包括：基底，基底包括相对的第一侧面及第二侧面；基于第一侧面形成的源极、栅极和漏极；基于第二侧面形成的种子金属层；基于种子金属层形成的背面金属层；基于背面金属层形成的焊料层。通过在半导体芯片裸片的制造过程中在背面金属层上形成焊料层，使得焊料层的尺寸可以较好地与半导体芯片裸片的尺寸契合，并且在封装过程中，不需要再执行额外的步骤将焊料设置在背面金属层和管壳之间，从而可以降低封装工艺的难度和复杂程度。

技术领域

本申请涉及半导体器件技术领域，具体而言，涉及一种半导体芯片裸片及其制造方法。

背景技术

请参照图1，在一些类似晶体管的半导体芯片通常包括源极S、漏极D、栅极G及衬底B。在此类半导体芯片的使用环境中，衬底常需要做接地处理。在一些实施方式中，会在衬底远离源极、漏极、栅极的一面上形成背面金属层，在进行封装时，将衬底的背面金属层与管壳焊接在一起，使衬底与管壳电性连接，进而使得半导体器件设置在电路中后，衬底通过管壳接入接地电路。

发明内容

第一方面，本申请提供一种半导体芯片裸片，包括：

基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；

基于所述第一侧面形成的源极、栅极和漏极；

基于所述第二侧面形成的种子金属层；

基于所述种子金属层形成的背面金属层；

基于所述背面金属层形成的焊料层；

基于所述焊料层金属上形成的防氧化保护层。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述焊料层的材料为金锡合金。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述焊料层厚度为1-10um。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述半导体芯片裸片还包括：

基于所述背面金属层形成的防氧化保护层。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述防氧化保护层的材料为金。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述防氧化保护层的厚度为20埃到1000埃。

可选地，在上述半导体芯片裸片中，所述基底上还设置有通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；

所述种子金属层通过所述通孔与所述半导体芯片裸片中的源极电性接触。

第二方面，本申请提供一种半导体芯片裸片制造方法，包括：

提供基底，所述基底包括第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面；

基于所述第一侧面制作形成源极、栅极和漏极；

基于所述第二侧面制作形成种子金属层；

基于所述种子金属层制作形成背面金属层；

基于所述背面金属层制作形成焊料层；

基于所述焊料层金属上形成的防氧化保护层。可选地，在上述方法中，基于所述背面金属层制作形成焊料层，包括：

在所述背面金属层上电镀一层金锡合金形成所述焊料层。

可选地，在上述方法中，基于所述焊料层制作形成防氧化保护层的步骤，包括：

在所述焊料层上蒸发或溅射一层金形成所述防氧化保护层。

可选地，在上述方法中，所述方法还包括：