[发明专利]半导体芯片裸片及其制造方法在审
| 申请号： | 201911380317.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113053844A | 公开（公告）日： | 2021-06-29 |
| 发明（设计）人： | 张乃千;潘盼 | 申请（专利权）人： | 苏州能讯高能半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/488 | 分类号： | H01L23/488;H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京超凡宏宇专利代理事务所(特殊普通合伙) 11463 | 代理人： | 蒋姗 |
| 地址： | 215300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 芯片 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体芯片裸片，其特征在于，包括：
基底，所述基底包括相对的第一侧面及第二侧面；
基于所述第一侧面形成的源极、栅极和漏极；
基于所述第二侧面形成的种子金属层；
基于所述种子金属层形成的背面金属层；
基于所述背面金属层形成的焊料层；
基于所述焊料层金属上形成的防氧化保护层。
2.根据权利要求1所述的半导体芯片裸片，其特征在于，所述焊料层的材料为金锡合金。
3.根据权利要求1所述的半导体芯片裸片，其特征在于，所述焊料层厚度为1-10um。
4.根据权利要求1所述的半导体芯片裸片，其特征在于，所述防氧化保护层的材料为金。
5.根据权利要求4所述的半导体芯片裸片，其特征在于，所述防氧化保护层的厚度为20埃到1000埃。
6.根据权利要求1所述的半导体芯片裸片，其特征在于，
所述基底上还设置有通孔，所述通孔的设置位置与所述源极的位置对应，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；
所述种子金属层通过所述通孔与所述半导体芯片裸片中的源极电性接触。
7.一种半导体芯片裸片制造方法，其特征在于，包括：
提供基底，所述基底包括第一侧面及与所述第一侧面相对的第二侧面；
基于所述第一侧面制作形成源极、栅极和漏极；
基于所述第二侧面制作形成种子金属层；
基于所述种子金属层制作形成背面金属层；
基于所述背面金属层制作形成焊料层；
基于所述焊料层金属上形成的防氧化保护层。
8.根据权利要求7所述的半导体芯片裸片制造方法，其特征在于，基于所述背面金属层制作形成焊料层，包括：
在所述背面金属层上电镀一层金锡合金形成所述焊料层。
9.根据权利要求8所述的半导体芯片裸片制造方法，其特征在于，基于所述焊料层制作形成防氧化保护层的步骤，包括：
在所述焊料层上蒸发或溅射一层金形成所述防氧化保护层。
10.根据权利要求6所述的半导体芯片裸片制造方法，其特征在于，所述方法还包括：
在所述基底上形成与所述源极的位置对应的通孔，所述通孔从所述第二侧面贯穿至所述第一侧面；
所述基于所述第二侧面形成种子金属层的步骤包括：
基于所述第二侧面形成通过所述通孔与所述源极电性接触的种子金属层。
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