[发明专利]金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置

说明书

本发明涉及一种金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置。该量子点发光器件包括阳极、阴极、设置在所述阳极和所述阴极之间的量子点发光层，以及设置在所述阴极和所述量子点发光层之间的电子传输层，所述电子传输层包括相互混合的纳米ZnO和至少一种金属四苯基卟啉复合物。该量子点发光器件通过在阴极和量子点发光层之间设置包括相互混合的纳米ZnO和金属四苯基卟啉复合物的电子传输层，一方面，缓解了量子点发光层的电子过量的问题，另一方面，通过卟啉基团的引入降低电子传输层的导带底能级，减小QLED的电子注入势垒，多方面提高QLED的寿命。

技术领域

本发明涉及显示和照明技术领域，特别是涉及一种金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置。

背景技术

由于量子点具有独特的光学性质，例如发光波长随量子点的尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，因此，基于量子点的电致发光器件(QLED)在显示领域得到了广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD(液晶显示器)所无法实现的优势，因而有望成为下一代的显示技术。

经过几十年发发展，QLED的性能取得了很大的进展，例如：在没有特殊光提取层的前提下，红、绿QLED的最高外量子效率可超过20％，已接近理论极限，蓝光QLED的最高外量子效率也接近了20％。但是，QLED在寿命方面的表面却差强人意。目前，高效的QLED都是采用ZnO纳米颗粒作为电子传输层、有机p型半导体作为空穴传输层，由于ZnO的电子迁移率明显好于有机半导体的空穴迁移率，所以极易导致电子过量，继而造成量子点俄歇复合、荧光猝灭、有机空穴传输层的失效等一系列不利后果，严重影响着QLED寿命。

针对这个问题，学术界从量子点自身结构出发，提出了合金结构以及最外层宽带隙壳层包覆的理念，有效地抑制了俄歇复合、减少了电子数量，显著提高了QLED的寿命。但另一方面，宽带隙壳层的包覆又使得量子点导带底能级减小，拉大了量子点与阴极之间的电子势垒，这在蓝光QLED中表现的尤为明显，对QLED寿命的负面影响甚至超过了空穴势垒。

因而，现有技术还有待进一步改进和提高。

发明内容

基于此，有必要提供一种金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用和量子点发光器件，能够提高QLED的寿命。

本发明提供一种金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用，所述电子传输材料包括纳米ZnO和金属四苯基卟啉复合物。

将包括纳米ZnO和金属四苯基卟啉复合物的电子传输材料制作发光器件的电子传输层，能够降低电子传输层的电子导电性和电子注入势垒，提高发光器件的寿命。

在一实施例中，按重量份计，所述电子传输材料包括：

纳米ZnO 50～99份

金属四苯基卟啉复合物 1～50份。

本发明另一目的在于提供一种量子点发光器件，包括：

阳极；

阴极；

量子点发光层，设置在所述阳极和所述阴极之间；以及

电子传输层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间，所述电子传输层包括相互混合的纳米ZnO和至少一种金属四苯基卟啉复合物。

上述量子点发光器件在阴极和量子点发光层之间设置包括相互混合的纳米ZnO和至少一种金属四苯基卟啉复合物的电子传输层，一方面，通过金属四苯基卟啉复合物有效钝化纳米ZnO颗粒表面的氧空位，降低了电子传输层的电子导电性，缓解了量子点发光层的电子过量的问题，另一方面，通过卟啉基团的引入降低电子传输层的导带底能级，减小QLED的电子注入势垒，多方面提高QLED的寿命。