[发明专利]金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用、量子点发光器件及其制备方法和发光装置

权利要求书

1.金属四苯基卟啉复合物在电子传输材料中的应用，其特征在于，所述电子传输材料包括纳米ZnO和金属四苯基卟啉复合物；

在所述电子传输材料中，所述金属四苯基卟啉复合物的重量占所述金属四苯基卟啉复合物与所述纳米ZnO两者总重量的1％～50％。

2.根据权利要求1所述的应用，其特征在于，在所述电子传输材料中，所述金属四苯基卟啉复合物的重量占所述金属四苯基卟啉复合物与所述纳米ZnO两者总重量的20％～40％。

3.一种量子点发光器件，其特征在于，包括：

阳极；

阴极；

量子点发光层，设置在所述阳极和所述阴极之间；及

电子传输层，设置在所述阴极和所述量子点发光层之间，所述电子传输层包括相互混合的纳米ZnO和至少一种金属四苯基卟啉复合物；

在所述电子传输层中，所述金属四苯基卟啉复合物的重量占所述金属四苯基卟啉复合物与所述纳米ZnO两者总重量的1％～50％。

4.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属四苯基卟啉复合物中的金属元素选自一价金属元素、二价金属元素和三价金属元素中的一种。

5.根据权利要求4所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属四苯基卟啉复合物选自四苯基卟啉银、四苯基卟啉金、四苯基卟啉钠、四苯基卟啉镁、四苯基卟啉铝和四苯基卟啉镓中的至少一种。

6.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述量子点发光器件还包括设于所述阳极和所述量子点发光层之间的空穴传输层、设于所述阳极和所述空穴传输层之间的空穴注入层。

7.根据权利要求3所述的量子点发光器件，其特征在于，所述金属四苯基卟啉复合物的重量占所述金属四苯基卟啉复合物与所述纳米ZnO两者总重量的20％～40％。

8.根据权利要求3～7任一项所述的量子点发光器件，其特征在于，所述电子传输层的厚度为20nm～100nm。

9.一种量子点发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供阳极，于所述阳极上形成量子点发光层；于所述量子点发光层上形成电子传输层；于所述电子传输层上形成阴极；或，提供阴极，于所述阴极上形成电子传输层；于所述电子传输层上形成量子点发光层；于所述量子点发光层上形成阳极；

其中，所述形成所述电子传输层的材料包括相互混合的纳米ZnO和金属四苯基卟啉复合物；在所述电子传输层中，所述金属四苯基卟啉复合物的重量占所述金属四苯基卟啉复合物与所述纳米ZnO两者总重量的1％～50％。

10.一种发光装置，其特征在于，所述发光装置包括权利要求3～8任一项所述的量子点发光器件或采用权利要求9所述制备方法制备得到的量子点发光器件。