[发明专利]具薄型化适用高频组件的陶瓷粉末

说明书

本发明公开了一种具薄型化适用高频组件的陶瓷粉末，其包含：BaO‑WO₃‑TiO₂的低温微波介电陶瓷粉末以及少量的玻璃系统，以形成中K值和高Q值的材料，以达到在10GHz量测时可产生K值在13‑20且Q值大于1000，也即藉由降低材料中玻璃系统的含量，使K值可达13‑20且高Q值，因而可不需为了提升K值而增加陶瓷层的数量，进而可达使体积缩小的效果。

技术领域

本发明涉及一种陶瓷粉末，特别涉及一种具薄型化适用高频组件的陶瓷粉末。

背景技术

目前，一般低温微波介电陶瓷粉末，其主要是以玻璃基材为主，由于玻璃非晶质含量高，而在高频超过1GHz的范围时，会产生不同介电系数(K值)且低质量因子(Q值)特性，只有当材料介电系数过低时，则需要使用更多层数的陶瓷层来进行介电系数的弥补，致使介电系数提升不易，且为了提升介电系数更会造成体积不易缩小的缺点。

是故，如何将上述等缺失加以摒除，即为本案发明人所欲解决的技术困难点的所在。

发明内容

本发明的主要目的是提供一种具薄型化适用高频组件的陶瓷粉末，其包含：

BaO-WO₃-TiO₂的低温微波介电陶瓷粉末，其中BaO含量约在10-60wt％，WO₃含量约在10-60wt％，TiO₂含量约在10-30wt％，以及掺杂10wt％以下的Ba-Zn-W-B-Si玻璃系统，因此烧结之后，可以形成中K值和高Q值的烧结组成物，在10GHz量测时产生的K值约在13-20且Q值大于1000。

其中，优选的，该Ba-Zn-W-B-Si玻璃系统为5wt％。

藉由降低材料中玻璃系统的含量，使K值可达13-20且高Q值，进而可不需为了提升K值而增加陶瓷层进而可达使体积缩小的效果。

附图说明

图1为传统型的低温微波介电陶瓷粉末的微观结构图；

图2为本发明的陶瓷粉末的微观结构图。

具体实施方式

下面结合实施例对本发明作进一步的说明。应理解，这些实例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。

实施例1

一种具薄型化适用高频组件的陶瓷粉末，其包含：

BaO-WO₃-TiO₂的低温微波介电陶瓷粉末，其中BaO含量约在10-60wt％，WO₃含量约在10-60wt％，TiO₂含量约在10-30wt％，以及掺杂10wt％的Ba-Zn-W-B-Si玻璃系统，因此可以形成中K值和高Q值的材料，烧结之后，烧结组成物在10GHz量测时产生的K值约在13-20且Q值大于1000。

请参阅图1、图2，是本发明与传统型在材料上进行比较，图1为传统型低温微波介电陶瓷粉末的微观结构，由图1可见传统型低温微波介电陶瓷粉末的玻璃含量高而陶瓷含量低，请继续参阅图2，图2为本发明材料的微观结构，由图2可见本发明材料的部分玻璃在陶瓷周边形成润湿性的效果，而陶瓷的晶型依旧明显，可在900℃烧结致密。

请再参阅下列表一，表一中比较例A为传统型的中K值且低Q值的材料(高玻璃含量)，由于该比较例A的Q值低，制作成高频组件后，插入损失特性为-1.03dB(deciBel,分贝)，而表一中测试例1至测试例5为五个本发明同一材料的烧结高频组件成品(其组成为BaO-WO3-TiO2的低温微波介电陶瓷粉末掺杂10wt％以下的Ba-Zn-W-B-Si玻璃系统)，K值在13-20之间且Q值在1210-1830之间，其插入损失为-0.96至-1.01dB，因此与传统型比较，本发明可得到Q值增加改善插入损失的效果。