[发明专利]一种Fanout信号线提取电容的方法有效
申请号: | 201911377748.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
公开(公告)号: | CN111079359B | 公开(公告)日: | 2022-05-24 |
发明(设计)人: | 童振霄;李相启;陆涛涛;刘伟平 | 申请(专利权)人: | 成都华大九天科技有限公司 |
主分类号: | G06F30/3308 | 分类号: | G06F30/3308;G06F30/398 |
代理公司: | 北京德崇智捷知识产权代理有限公司 11467 | 代理人: | 王金双 |
地址: | 610200 四川省成都*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 fanout 信号线 提取 电容 方法 | ||
1.一种Fanout信号线提取电容的方法,其特征在于,包括以下步骤:
1)划分将Fanout信号线的电容模拟区域为多个子区域单元;
2)标记与所述Fanout信号线重叠的子区域单元;
3)合并并扩展所述子区域单元,完成子电容模拟区域的划分;
4)分区域并行提取所述子电容模拟区域的电容值;
所述步骤3)进一步包括,
判断标记的所述子区域单元信号线锐角的倾斜角度;
当角度大于45°时,横向合并相邻的所述子区域单元;
当角度小于45°时,纵向合并相邻的所述子区域单元。
2.根据权利要求1所述的Fanout信号线提取电容的方法,其特征在于,
所述子区域单元的宽度和高度为Su = p * N;
其中,p为两条平行Fanout信号线的线距,N为电容模拟经验值。
3.根据权利要求2所述的Fanout信号线提取电容的方法,其特征在于,所述电容模拟区域被划分为(w / Su) * (h / Su)个所述子区域单元;其中,h为所述电容模拟区域的高度,w为所述电容模拟区域的宽度。
4.根据权利要求1所述的Fanout信号线提取电容的方法,其特征在于,还包括,扩展合并后的子区域单元,
当角度大于45°时,横向扩展所述子区域单元;
当角度小于45°时,纵向扩展所述子区域单元;
当相邻的所述子区域单元处于45°交界时,对角度大于45°的子区域不进行横向扩展,对角度小于45°的子区域进行纵向扩展。
5.根据权利要求1所述的Fanout信号线提取电容的方法,其特征在于,所述信号线电容模拟区域的电容值为所有子电容模拟区域电容值的和。
6.一种计算机可读存储介质,其上存储有计算机指令,其特征在于,所述计算机指令运行时执行权利要求1至5任一项所述的Fanout信号线提取电容的方法步骤。
7.一种Fanout信号线提取电容的装置,其特征在于,包括存储器和处理器,所述存储器上储存有在所述处理器上运行的计算机指令,所述处理器运行所述计算机指令时执行权利要求1至5任一项所述的Fanout信号线提取电容的方法步骤。
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