[发明专利]发光器件及其制作方法

说明书

本发明涉及一种发光器件，包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层；第一电极层设置在基板上，发光功能层设置在第一电极层上，第二电极层设置在发光功能层上，发光功能层包含量子点发光材料以及卤化‑石墨烯氧化物。由于目前常用的Ⅱ‑Ⅵ族、Ⅲ‑Ⅴ族量子点等是n型半导体，所以发光层的电子导电性明显好于空穴导电性，这是QLED电荷不平衡的一个重要原因。为了促进电荷平衡，提高发光层的空穴导电性至关重要。上述发光器件中的发光功能层包含量子点发光材料以及卤化‑石墨烯氧化物，卤化‑石墨烯氧化物具有出色的吸电子性能，能够提高发光功能层的空穴浓度，从而提高其空穴导电性，使电子空穴更加平衡，从而提高发光器件的性能。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，特别是涉及一种发光器件及其制作方法。

背景技术

由于量子点独特的光电性质，如发光波长随尺寸和成分连续可调、发光光谱窄、荧光效率高、稳定性好等，基于量子点的电致发光二极管(QLED)在显示领域得到广泛的关注和研究。此外，QLED显示还具有可视角大、对比度高、响应速度快、可柔性等诸多LCD所无法实现的优势，有望成为下一代的显示技术。

经过几十年的发展，QLED的性能取得了很大的进步。例如：在没有特殊光提取层的前提下，红、绿光QLED已报道的最高外量子效率均已超过20％，接近理论极限，蓝光QLED的最高外量子效率也接近20％。但是，QLED在寿命方面的表现却差强人意，主要原因可能是空穴的注入能力相对较差，导致QLED存在严重的电子空穴不平衡的问题。因此，提高空穴注入能力对提高QLED的寿命具有重要意义。

造成QLED空穴注入能力不足的原因主要有以下两方面：(1)量子点的价带顶能级较大，一般位于6.0～7.0eV，使得阳极至量子点发光层之间有明显的空穴注入势垒，而又缺乏能级匹配的空穴传输材料；(2)目前主流的Ⅱ-Ⅵ族、Ⅲ-Ⅴ族量子点一般是n型半导体，所以空穴是少子，本身就存在电子数多于空穴数的情况，导致发光层中电子电导率好于空穴导电率，非常不利于空穴的有效注入和传输，以及QLED的电荷平衡。

发明内容

基于此，有必要提供一种发光器件及其制作方法，以提高空穴导电率。

一种发光器件，包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层；所述第一电极层设置在所述基板上，所述发光功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上，所述发光功能层包含量子点发光材料以及卤化-石墨烯氧化物。

在其中一个实施例中，所述发光功能层包括层叠设置的量子点发光层以及界面层，所述量子点发光层的材料包含所述量子点发光材料，所述界面层的材料包含所述卤化-石墨烯氧化物。

在其中一个实施例中，所述量子点发光层至少有一层，所述界面层至少有两层，所述量子点发光层和所述界面层交替层叠。

在其中一个实施例中，所述量子点发光层至少有两层，所述界面层至少有三层，所述发光功能层中位于外侧的两层均为所述界面层。

在其中一个实施例中，所述界面层的厚度为1nm～5nm。

在其中一个实施例中，所述量子点发光层的厚度为8nm～35nm。

在其中一个实施例中，所述发光功能层的厚度为10nm～100nm。

在其中一个实施例中，所述卤化-石墨烯氧化物选自氟化-石墨烯氧化物、氯化-石墨烯氧化物、溴化-石墨烯氧化物和碘化-石墨烯氧化物中的至少一种。

在其中一个实施例中，所述第一电极层与所述发光功能层之间和/或所述发光功能层与所述第二电极层之间还设置有载流子功能层。

在其中一个实施例中，所述载流子功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。

一种发光器件的制作方法，包括以下步骤：