[发明专利]发光器件及其制作方法有效
| 申请号： | 201911377656.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN112331786B | 公开（公告）日： | 2023-04-07 |
| 发明（设计）人： | 苏亮 | 申请（专利权）人： | 广东聚华印刷显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H10K50/11 | 分类号： | H10K50/11;H10K50/115;H10K85/00;H10K71/00 |
| 代理公司： | 华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人： | 杜寒宇 |
| 地址： | 510000 广东省广州市广州*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光 器件 及其 制作方法 | ||
1.一种发光器件，其特征在于，包括基板、第一电极层、发光功能层以及第二电极层；所述第一电极层设置在所述基板上，所述发光功能层设置在所述第一电极层上，所述第二电极层设置在所述发光功能层上，所述发光功能层包括层叠设置的量子点发光层以及界面层，所述量子点发光层至少有两层，所述界面层至少有三层，所述量子点发光层和所述界面层交替层叠，所述发光功能层中位于外侧的两层均为所述界面层，所述量子点发光层的材料包含量子点发光材料，所述界面层的材料包含卤化-石墨烯氧化物，所述界面层的厚度为1nm～5nm，所述量子点发光层的厚度为8nm～35nm，所述发光功能层的厚度为10nm～100nm。
2.如权利要求1所述的发光器件，其特征在于，
所述发光功能层的厚度为10nm～100nm。
3.如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述卤化-石墨烯氧化物选自氟化-石墨烯氧化物、氯化-石墨烯氧化物、溴化-石墨烯氧化物和碘化-石墨烯氧化物中的至少一种。
4.如权利要求1或2所述的发光器件，其特征在于，所述第一电极层与所述发光功能层之间和/或所述发光功能层与所述第二电极层之间还设置有载流子功能层。
5.如权利要求4所述的发光器件，其特征在于，所述载流子功能层为空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层中的至少一层。
6.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材料为PEDOT:PSS、HAT-CN、MoO3、WO3、V2O5或Rb2O。
7.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料为NiO、Cu2O、TFB、NPB、TAPC、TCTA或CBP。
8.如权利要求5所述的发光器件，其特征在于，所述电子传输层材料为ZnO、TiO2、SnO2、TPBi、Bphen、TmPyPb、B3PYMPM或BCP。
9.一种发光器件的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供或制作设置有第一电极层的基板；
在所述第一电极层上制作发光功能层，所述发光功能层包括层叠设置的量子点发光层以及界面层，所述量子点发光层至少有两层，所述界面层至少有三层，所述量子点发光层和所述界面层交替层叠，所述发光功能层中位于外侧的两层均为所述界面层，所述量子点发光层的材料包含量子点发光材料，所述界面层的材料包含卤化-石墨烯氧化物，所述界面层的厚度为1nm～5nm，所述量子点发光层的厚度为8nm～35nm，所述发光功能层的厚度为10nm～100nm；
在所述发光功能层上制作第二电极层。
10.如权利要求9所述的制作方法，其特征在于，所述卤化-石墨烯氧化物选自氟化-石墨烯氧化物、氯化-石墨烯氧化物、溴化-石墨烯氧化物和碘化-石墨烯氧化物中的至少一种。
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