[发明专利]套刻测试结构及制备方法、套刻测试方法

权利要求书

1.一种套刻测试结构，其特征在于，所述套刻测试结构包括：

基底层；

第一层套刻标记和第二层套刻标记，所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记呈中空的环形框架，在水平面的投影上所述第二层套刻标记设置于所述第一层套刻标记中空的环形框架内，以用于检测套刻是否对准；

其中，所述第一层套刻标记形成于所述基底层之中；所述第二层套刻标记形成于基底层上的第一膜层上，且所述第一层套刻标记的环形框架中边框的尺寸在40μm以上；

所述测试结构还包括物镜倍率为30-50的低倍物镜，用于对所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记进行测量。

2.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记呈中空的方形环框架。

3.根据权利要求2所述的测试结构，其特征在于，所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记的四条边框的首尾相连；或者所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记的四条边框的首尾相互间隔设置。

4.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记设置于其所在膜层的切割道上。

5.根据权利要求4所述的测试结构，其特征在于，当所述切割道的尺寸为60μm以上时，所述第一层套刻标记的环形框架中边框的尺寸在40μm以上；

当所述切割道的尺寸为80μm以上时，所述第一层套刻标记的环形框架中边框的尺寸在70μm以上。

6.根据权利要求1所述的测试结构，其特征在于，所述第一层套刻标记为凹陷结构，所述第二层套刻标记为凸起结构。

7.一种基于权利要求1至6之一所述的套刻测试结构的套刻测试方法，其特征在于，所述套刻测试方法包括：

在量测机台中选用物镜对所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记进行测量；

根据所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记之间的位置关系是否符合预定的位置关系，来判断是否符合套刻精度；

其中，当所述第一层套刻标记形成于所述基底层之中，所述第二层套刻标记形成于所述第一膜层上时，使用物镜倍率为30-50的低倍物镜进行测量。

8.一种套刻对准测试结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：

提供基底层；

对所述基底层进行图案化，以在所述基底层之中形成第一层套刻标记；

在所述基底层上形成第一膜层，在所述第一膜层上形成第二层套刻标记，其中，所述第一层套刻标记和所述第二层套刻标记呈中空的环形框架，在水平面的投影上所述第二层套刻标记设置于所述第一层套刻标记中空的环形框架内，且所述第一层套刻标记的环形框架中任意边框的尺寸在40μm以上，使用物镜倍率为30-50的低倍物镜进行测量，以用于检测套刻是否对准。