[发明专利]气体导入构造、处理装置以及处理方法在审
| 申请号: | 201911376141.2 | 申请日: | 2019-12-27 |
| 公开(公告)号: | CN111383964A | 公开(公告)日: | 2020-07-07 |
| 发明(设计)人: | 石井胜利 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人: | 刘新宇;张会华 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 气体 导入 构造 处理 装置 以及 方法 | ||
本发明提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的气体导入构造、处理装置以及处理方法。本公开的一形态的气体导入构造具有:气体导入管,其插入到处理容器内;和喷出部,其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部,将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出,所述喷出部包括:多孔质部,其由多孔质体形成;和致密部,其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置,气孔率比所述多孔质部的气孔率小。
技术领域
本公开涉及一种气体导入构造、处理装置以及处理方法。
背景技术
公知有如下技术:通过以覆盖石英管的顶端部的气体导入口的方式设置多孔质部来抑制在从石英管向真空室内导入吹扫气体而恢复成常压之际的微粒的卷起,该石英管用于向真空室内导入吹扫气体(参照例如专利文献1)。
专利文献1:日本特开2000-58530号公报
发明内容
本公开提供一种能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻的技术。
本公开的一形态的气体导入构造具有:气体导入管,其插入到处理容器内;和喷出部,其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部,将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出,所述喷出部包括:多孔质部,其由多孔质体形成;和致密部,其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置,气孔率比所述多孔质部的气孔率小。
根据本公开,能够抑制设置有多孔质部的气体导入管被蚀刻气体蚀刻。
附图说明
图1是表示处理装置的结构例的图。
图2是表示注入器的结构例的第一图。
图3是表示注入器的结构例的第二图。
图4是用于说明注入器的压力损失的图。
图5是表示利用在喷出部的顶端包括致密部的注入器喷出气体后的结果的图。
图6是表示利用在喷出部的顶端不包括致密部的注入器喷出气体后的结果的图。
具体实施方式
以下,一边参照所附的附图,一边对本公开的非限定性的例示的实施方式进行说明。在所附的全部附图中,对相同或相对应的构件或零部件标注相同或相对应的参照附图标记,省略重复的说明。
〔处理装置〕
对于一实施方式的处理装置,列举如下分批式的热处理装置为例而进行说明:在处理容器内,在将多个基板呈多层保持到基板保持件的状态下,能够对多个基板执行热处理。不过,处理装置并不限定于分批式的热处理装置,也能够适用于例如单张式的处理装置。图1是表示处理装置的结构例的图。
如图1所示,热处理装置1整体上具有纵长的沿着铅垂方向延伸的形状。热处理装置1具有纵长且沿着铅垂方向延伸的处理容器10。
处理容器10由例如石英、碳化硅等耐热材料形成。处理容器10具有例如圆筒体的内管11和呈同心状载置到内管11的外侧的有顶的外管12这双层管构造。处理容器10的下端部由例如不锈钢制的歧管20气密地保持。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





