[发明专利]气体导入构造、处理装置以及处理方法

权利要求书

1.一种气体导入构造，其具有：

气体导入管，其插入到处理容器内；

和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，

所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。

2.根据权利要求1所述的气体导入构造，其中，

所述致密部由气孔率比所述多孔质部的气孔率小的多孔质体形成。

3.根据权利要求1所述的气体导入构造，其中，

所述致密部由与所述气体导入管相同的材料形成。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述致密部的长度比所述多孔质部的长度短。

5.根据权利要求1～4中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述致密部的外径比所述多孔质部的外径小。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述多孔质部的长度是25mm～40mm。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述气体导入管由石英管形成。

8.根据权利要求1～7中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述多孔质部由石英玻璃多孔体形成。

9.根据权利要求1～8中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述喷出部熔接于所述气体导入管。

10.根据权利要求1～9中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述气体导入管从所述处理容器的下方插入，向所述处理容器的上方延伸。

11.根据权利要求1～9中任一项所述的气体导入构造，其中，

所述气体导入管从所述处理容器的下方插入，在所述处理容器内水平地延伸。

12.根据权利要求1～11中任一项所述的气体导入构造，其中，

向所述气体导入管供给非活性气体，

所述多孔质部喷出所述非活性气体。

13.一种处理装置，其具备：

处理容器；

气体导入构造，其向所述处理容器内导入气体，

所述气体导入构造具有：

气体导入管，其插入到所述处理容器；

和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将供给到所述气体导入管的气体向所述处理容器内喷出，

所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小。

14.一种处理方法，其是使用了处理装置的处理方法，该处理装置具备：处理容器，其用于收容基板；处理气体导入部，其插入所述处理容器内，向所述处理容器内导入含有蚀刻气体的处理气体；以及吹扫气体导入部，其插入所述处理容器内，向所述处理容器内导入含有非活性气体的吹扫气体，该吹扫气体导入部具有：气体导入管；和喷出部，其覆盖所述气体导入管的靠所述处理容器侧的端部，将导入到所述气体导入管的所述吹扫气体向所述处理容器内喷出，所述喷出部包括：多孔质部，其由多孔质体形成；和致密部，其设置于比所述多孔质部靠顶端侧的位置，气孔率比所述多孔质部的气孔率小，在该处理方法中，

在从所述处理气体导入部向所述处理容器内导入蚀刻气体之际，从所述吹扫气体导入部向所述处理容器内导入所述吹扫气体。

15.根据权利要求14所述的处理方法，其中，

在所述基板未收容于所述处理容器内的状态下导入所述蚀刻气体。