[发明专利]一种钕铁硼磁体的微波烧结方法有效
| 申请号： | 201911375578.4 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111128541B | 公开（公告）日： | 2022-01-04 |
| 发明（设计）人： | 黄志民;黄慨;顾传君;冼学权;黄绍权;黄华林 | 申请（专利权）人： | 广西科学院;广西中科微波先进制造产业技术研究院;南宁市中科微波先进制造产业技术研究院 |
| 主分类号： | H01F41/02 | 分类号： | H01F41/02;H01F1/057 |
| 代理公司： | 南宁启创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 45122 | 代理人： | 谢美萱 |
| 地址： | 530007 广西壮*** | 国省代码： | 广西;45 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 钕铁硼 磁体 微波 烧结 方法 | ||
1.一种钕铁硼磁体的微波烧结方法，包括如下步骤：将钕铁硼原料配置好，经熔炼、氢碎、气流磨、取磁成型、等静压制备得到钕铁硼生胚，其特征在于：
（1）将钕铁硼生胚放置到微波反应器中在惰性气体的保护下进行预烧结后，对其表面进行清洁处理，得到表面洁净的钕铁硼；预烧结的温度为800～900℃，时间0.5～1h；
（2）在表面清洁的钕铁硼表面涂覆上Dy/Tb元素形成Dy/Tb元素附着层；
（3）将涂覆有附着层的钕铁硼放入微波反应器中在惰性气体的保护下进行微波热处理，得到钕铁硼磁体；
微波热处理分为两个阶段，第一个阶段为晶界扩散，第二个阶段为中温回火处理；所述晶界扩散阶段在高压下进行微波辅助渗透扩散，其微波加热控温范围为550～850℃，保压保温时间0.5～1h；所述晶界扩散阶段的压力设定范围为0.5～3.0MPa。
2.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的微波烧结方法，其特征在于：所述Dy/Tb元素附着层包括Dy/Tb金属或者Dy/Tb的化合物。
3.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的微波烧结方法，其特征在于：所述中温回火处理阶段的温度为350～550℃，时间1～2h。
4.根据权利要求1所述的钕铁硼磁体的微波烧结方法，其特征在于：微波输出方式包括连续波或脉冲波或其组合方式，温度可控范围350～900℃。
5.根据权利要求4所述的钕铁硼磁体的微波烧结方法，其特征在于：所述连续波的功率为0.5～20kW，频率433～2450±50MHz。
6.根据权利要求4所述的钕铁硼磁体的微波烧结方法，其特征在于：所述脉冲波的功率为5～50kW，频率433～2450±50MHz。
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