[发明专利]一种薄膜封装结构及其制作方法

权利要求书

1.一种薄膜封装制作方法，其特征在于，包括步骤：

在待封装器件表面制作第一无机层；

在有机聚合物中添加纳米片层无机材料，形成共混胶材溶液；

涂布共混胶材溶液于所述第一无机层上，形成共混胶材溶液层；

烘干干燥或者UV固化干燥共混胶材溶液层；

涂覆第二无机层于共混胶材溶液层上，制得薄膜封装层。

2.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，在待封装器件表面制作第一无机层前还包括步骤：

在PI柔性基板上依次制备TFT器件层和OLED器件层，形成待封装的OLED器件；

所述第一无机层位于所述OLED器件上。

3.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述纳米片层无机材料为纳米片层石墨烯、纳米片层二硫化钼。

4.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述纳米片层无机材料的掺杂比为0.2-1wt％。

5.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述共混胶材溶液层的涂布方法为：旋涂、喷墨打印。

6.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，共混胶材溶液层厚度为4-10μm。

7.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述第一无机层、第二无机层采用等离子体增强化学气相沉积法进行镀膜。

8.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述第一无机层以SiNx、SiOx或SiNx/SiOx为材料，沉积厚度为600-1200nm。

9.根据权利要求1所述一种薄膜封装制作方法，其特征在于，所述第二无机层以SiNx、SiOx为材料，沉积厚度为800-1600nm。

10.一种薄膜封装结构，所述一种薄膜封装结构由权利要求1到9任意一项所述的一种薄膜封装结构的制作方法制得。