[发明专利]一种薄膜台阶的制备方法在审
| 申请号： | 201911375340.1 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN111020511A | 公开（公告）日： | 2020-04-17 |
| 发明（设计）人： | 王孝东;陈波 | 申请（专利权）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/58;C23C14/06;C23C14/16 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 曹卫良 |
| 地址： | 130033 吉林省长春*** | 国省代码： | 吉林;22 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 台阶 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种薄膜台阶的制备方法，其特征在于，包括:
在基底上划出具有一定厚度的痕迹；
在所述基底上沉积一层薄膜得到镀有薄膜的基底，所述薄膜的厚度小于痕迹的厚度；
去除基底上的痕迹，得到有台阶的薄膜。
2.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，在基底上划出具有一定厚度的痕迹之前还包括：将基底置于高纯水和酒精中分别超声，再吹干。
3.根据权利要求2所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，超声的频率为40kHz-270kHz，超声时间为10分钟-20分钟，采用氮气吹干。
4.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述基底为熔石英基底或硅片基底，采用记号笔划出具有一定厚度的痕迹。
5.根据权利要求4所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述去除基底上的痕迹为：将基底用酒精或丙酮或石油醚溶液超声清洗，待记号笔划出的痕迹消失后，将基底取出。
6.根据权利要求1所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述薄膜为SiC或Si或B4C或BN薄膜。
7.根据权利要求6所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，采用磁控溅射在所述基底上沉积一层薄膜。
8.根据权利要求1-7任意一项所述薄膜台阶的制备方法，其特征在于，所述痕迹的宽度为：5-25mm，所述痕迹的厚度为：10-100nm。
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