[发明专利]一种芯片制备方法与待剥离芯片结构

说明书

本申请提供了一种芯片制备方法与待剥离芯片结构，涉及半导体技术领域。首先提供一衬底，然后沿衬底制作掩膜层，其中，掩膜层包括凹陷区，凹陷区的底部露出衬底的表面，且凹陷区的底部宽度小于顶部宽度，再沿凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体，最后腐蚀掩膜层与模板层，以获取目标芯片，其中，所述目标芯片包括芯片本体。本申请提供了一种芯片制备方法与待剥离芯片结构具有剥离芯片本体更加方便，且不会造成外延面积的浪费的优点。

技术领域

本申请涉及半导体技术领域，具体而言，涉及一种芯片制备方法与待剥离芯片结构。

背景技术

近年来，随着LED(Light Emitting Diode，发光二极管)光源技术的进步，越来越多的应用技术被开发出来，以LED显示为代表的新型显示因其具备的低电压、低功耗、自发光、全色化、色纯度好等诸多优势受到应用端的青睐。特别是在微显示光源领域，相比CRT显示技术、LCD显示技术、OLED显示技术，微LED显示拥有无机LED发光的高效率、高亮度、高可靠和反应时间快的独特优点，特别是在解析度上，微LED可以轻松实现2000ppi以上的分辨率，而其他显示技术难以超过1000ppi的分辨率，因此在超高分辨的显示光源上微LED具有无可比拟的巨大优势。

但是，由于微LED尺寸极小(一般芯片宽度不到50um)，在芯片工艺中进行激光切割需预留宽度达数十微米的切割道，产生了大量的外延面积浪费，而且激光切割采用的高温烧熔方式会在切割点附近芯片里产生新的缺陷，从而导致芯片性能下降，进一步，新引入的激光剥离技术虽然可以快速实现微LED芯片的剥离，但是由于激光剥离会产生大量的热和高压气体，亦容易在芯片里产生残余应力严重会导致裂纹产生，从而大大影响了工艺良品率。

综上，目前在微LED的制备过程中，存在剥离困难的问题。

发明内容

本申请的目的在于提供一种芯片制备方法与待剥离芯片结构，以解决现有技术中芯片剥离困难的问题。

为了实现上述目的，本申请实施例采用的技术方案如下：

一方面，本申请实施例提供了一种芯片制备方法，所述方法包括：

提供一衬底；

沿所述衬底制作掩膜层，其中，所述掩膜层包括凹陷区，所述凹陷区的底部露出所述衬底的表面，且所述凹陷区的底部宽度小于顶部宽度；

沿所述凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体；

腐蚀所述掩膜层与所述模板层，以获取目标芯片，其中，所述目标芯片包括所述芯片本体。

进一步地，所述凹陷区包括第一倾斜区与第二倾斜区，且所述第一倾斜区与衬底法线的夹角大于所述第二倾斜区与衬底法线的夹角；所述沿所述凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体的步骤包括：

沿所述凹陷区内衬底的表面生长缓冲层，其中，所述缓冲层位于所述第一倾斜区内；

沿所述缓冲层的表面生长模板层，其中，所述模板层覆盖所述第一倾斜区；

沿所述模板层的表面依次生长N型半导体层、量子阱层以及P型半导体层，其中，所述N型半导体层、所述量子阱层以及所述P型半导体层均位于所述第二倾斜区内；

在所述沿所述凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体的步骤之后，所述方法还包括：

在所述P型半导体层与所述N型半导体层上制作电极。

进一步地，所述凹陷区包括第一倾斜区、电极区以及第二倾斜区，且所述第一倾斜区与衬底法线的夹角大于所述第二倾斜区与衬底法线的夹角，所述沿所述凹陷区内衬底的表面依次生长缓冲层、模板层以及芯片本体的步骤包括：