[发明专利]一种半导体的研磨方法

说明书

本发明提供了一种半导体的研磨方法，包括以下步骤：(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。本发明的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，发明人经过研究后发现，在研磨之前对研磨盘预热至38～42℃时，研磨盘的平面度较好而且研磨盘的寿命较长。

技术领域

本发明涉及半导体加工领域，具体涉及一种半导体的研磨方法。

背景技术

随着微电子技术发展，半导体的研磨技术也需要越来越精微。研磨需要研磨液和研磨盘两种要素共同完成，半导体表面的粗糙度影响其工作性能。为了得到更好的研磨粗糙度，需要更细更小的金刚石粉来配置研磨液，然而金刚石颗粒的减小同时也使得研磨盘的寿命缩小，反而降低了生产率。

发明内容

本发明的目的在于克服现有技术存在的不足之处而提供一种半导体的研磨方法。

为实现上述目的，本发明采取的技术方案为：一种半导体的研磨方法，所述方法包括以下步骤：

(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；

(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。

上述的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，发明人经过研究后发现，在研磨之前对研磨盘预热至38～42℃时，研磨盘的(Plate flatness)的平面度较好而且研磨盘的寿命较长。

优选地，所述金刚石的粒径为：1.5μm～2.0μm。

发明人经过研究发现，在金刚石的粒径为时，上述的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度可以延长研磨盘的寿命。

优选地，所述步骤(1)中，预热的时间为0.5～2小时。

优选地，所述步骤(1)中，预热的时间为0.5～1小时。

上述的半导体的研磨方法在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，预热时间的长短影响研磨盘的升温速率，发明人研究发现预热时间为0.5～1小时时，研磨盘的平面度相对更好且研磨盘的寿命相对更长。

优选地，所述步骤(1)中，对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到39～40℃。

上述的半导体的研磨方法在研磨之前对研磨盘预热至39～40℃时，研磨盘的平面度相对更好且研磨盘的寿命相对更长。

优选地，所述步骤(1)中，对研磨盘进行预热之前对研磨盘用60％～70％的乙醇溶液清洗后干燥。

优选地，所述步骤(2)中，研磨过程中研磨盘的转速为25～35rpm。

本发明的有益效果在于：本发明提供了一种半导体的研磨方法，本发明的半导体的研磨方法通过在研磨之前对研磨盘预热至特定的温度，发明人经过研究后发现，在研磨之前对研磨盘预热至38～42℃时，研磨盘的平面度较好而且研磨盘的寿命较长。

具体实施方式

为更好的说明本发明的目的、技术方案和优点，下面将结合具体实施例对本发明作进一步说明。

实施例1

作为本发明实施例的一种半导体的研磨方法，所述方法包括以下步骤：

(1)用60％～70％的乙醇溶液清洗研磨盘后干燥，对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到40℃，预热的时间为1小时；

(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石，金刚石的粒径为1.5μm～2.0μm，研磨盘的转速为25～35rpm。

实施例2