[发明专利]一种半导体的研磨方法在审
| 申请号： | 201911372252.6 | 申请日： | 2019-12-27 |
| 公开（公告）号： | CN113059479A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 彭忠华 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | B24B37/00 | 分类号： | B24B37/00;B24B1/00 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 研磨 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种半导体的研磨方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：
(1)对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到38～42℃；
(2)利用步骤(1)处理后的研磨盘对待加工的半导体进行研磨，研磨粒子为金刚石。
2.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述金刚石的粒径为：1.5μm～2.0μm。
3.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(1)中，预热的时间为0.5～2小时。
4.根据权利要求3所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(1)中，预热的时间为0.5～1小时。
5.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(1)中，对研磨盘进行预热使得研磨盘的温度达到39～40℃。
6.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(1)中，对研磨盘进行预热之前对研磨盘用60％～70％的乙醇溶液清洗后干燥。
7.根据权利要求1所述的研磨方法，其特征在于，所述步骤(2)中，研磨过程中研磨盘的转速为25～35rpm。
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